MEMS制作工艺ICP深硅刻蚀：在半导体制程中，单晶硅与多晶硅的刻蚀通常包括湿法刻蚀和干法刻蚀两种方法各有优劣，各有特点。湿法刻蚀即利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光刻胶掩膜覆盖的部分，而达到刻蚀的目的。因为湿法刻蚀是利用化学反应来进行薄膜的去除，而化学反应本身不具方向性，因此湿法刻蚀过程为等向性。湿法刻蚀过程可分为三个步骤:1)化学刻蚀液扩散至待刻蚀材料之表面;2)刻蚀液与待刻蚀材料发生化学反应;3)反应后之产物从刻蚀材料之表面扩散至溶液中，并随溶液排出。
湿法刻蚀之所以在微电子制作过程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高产能及优越的刻蚀选择比等优点。但相对于干法刻蚀，除了无法定义较细的线宽外，湿法刻蚀仍有以下的缺点:1) 需花费较高成本的反应溶液及去离子水:2) 化学药品处理时人员所遭遇的安全问题:3) 光刻胶掩膜附着性问题;4) 气泡形成及化学腐蚀液无法完全与晶片表面接触所造成的不完全及不均匀的刻蚀 MEMS是一种现代化的制造技术。现代化MEMS微纳米加工
智能手机迎5G换机潮，传感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面，5G加速渗透，拉动智能手机市场恢复增长：今年10月份国内5G手机出货量占比已达64%；智能手机整体出货量方面，在5G的带动下，根据IDC今年的预测，2021年智能手机出货量相比2020年将增长11.6%，2020-2024年CAGR达5.2%。另一方面，单机传感器和RFMEMS用量不断提升，以iPhone为例，2007年的iPhone2G到2020年的iPhone12，手机智能化程度不断升，功能不断丰富，指纹识别、3Dtouch、ToF、麦克风组合、深度感知（LiDAR）等功能的加入，使得传感器数量（包含非MEMS传感器）由当初的5个增加为原来的4倍至20个以上；5G升级带来的频段增加也有望明显提升单机RF MEMS价值量。江西MEMS微纳米加工之SAW器件基于MEMS技术的SAW器件是什么？
MEMS制作工艺-太赫兹特性：
1.相干性由于它是由相千电流驱动的电偶极子振荡产生，或又相千的激光脉冲通过非线性光学频率差频产生，因此有很好的相干性。THz的相干测量技术能够直接测量电场振幅和相位，从而方便提取检测样品的折射率，吸收系数等。
2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量级，远小于X射线的10^3量级，不易破坏被检测的物质，适合于生物大分子与活性物质结构的研究。
3.穿透性:THz辐射对于很多非极性物质，如塑料，纸箱，布料等包装材料有很强的穿透能力，在环境控制与安全方面能有效发挥作用
4.吸收性:大多数极性分子对THz有强烈的吸收作用，可以用来进行医疗诊断与产品质量监控
5.瞬态性:相比于传统电磁波与光波，THz典型脉宽在皮秒量级，通过光电取样测量技术，能够有效抑制背景辐射噪声的干扰，在小于3THz时信噪比达10人4:1。
6.宽带性:THz脉冲光源通常包含诺千个周期的电磁振荡，!单个脉冲频宽可以覆盖从GHz至几+THz的范围，便于在大的范围内分析物质的光谱信息。
MEMS制作工艺-光学超表面meta-surface：超表面是指一种厚度小于波长的人工层状材料。超表面可实现对电磁波偏振、振幅、相位、极化方式、传播模式等特性的灵活有效调控。超表面可视为超材料的二维对应。
根据面内的结构形式，超表面可以分为两种：一种具有横向亚波长的微细结构，一种为均匀膜层。
根据调控的波的种类，超表面可分为光学超表面、声学超表面、机械超表面等。光学超表面 是最常见的一种类型，它可以通过亚波长的微结构来调控电磁波的偏振、相位、振幅、频率等特性，是一种结合了光学与纳米科技的新兴技术。
其超表面的制作方式，一般会用到电子束光刻技术EBL，通过纳米级的直写，将图形曝光到各种衬底上，然后经过镀膜或刻蚀形成具有一定相位调控的超表面器件。 MEMS器件制造工艺更偏定制化。
MEMS制作工艺-声表面波器件SAW：
声表面波是一种沿物体表面传播的弹性波，它能够在兼作传声介质和电声换能材料的压电基底材料表面进行传播。它是声学和电子学相结合的一门边缘学科。由于声表面波的传播速度比电磁波慢十万倍，而且在它的传播路径上容易取样和进行处理。因此，用声表面波去模拟电子学的各种功能，能使电子器件实现超小型化和多功能化。随着微机电系统（MEMS）技术的发展进步，声表面波研究向诸多领域进行延伸研究。上世纪90年代，已经实现了利用声表面波驱动固体。进入二十一世纪，声表面波SAW在微流体应用研究取得了巨大的发展。应用声表面波器件可以实现固体驱动、液滴驱动、微加热、微粒集聚\混合、雾化。 MEMS的光学超表面是什么？发展MEMS微纳米加工市场
MEMS超表面对光电场特性的调控是怎样的？现代化MEMS微纳米加工
MEMS制作工艺柔性电子的研究发展：
在近的10年间，康奈尔大学、普林斯顿大学、哈佛大学、西北大学、剑桥大学等国际有名的大学都先后建立了柔性电子技术专门研究机构，对柔性电子的材料、器件与工艺技术进行了大量研究。柔性电子技术同样引起了我国研究人员的高度关注与重视，在柔性电子有机材料制备、有机电子器件设计与应用等方面开展了大量的基础研究工作，并取得了一定进展。中国科学院长春应用化学研究所、中国科学院化学研究所、中国科学技术大学、华南理工大学、清华大学、西北工业大学、西安电子科技大学、天津大学、浙江大学、武汉大学、复旦大学、南京邮电大学、上海大学等单位在有机光电（高）分子材料和器件、发光与显示、太阳能电池、场效应管、场发射、柔性电子表征和制备、平板显示技术、半导体器件和微图案加工等方面进行了颇有成效的研究。近年来，华中科技大学在RFID封装和卷到卷制造、厦门大学在静电纺丝等方面取得了研究进展。
但是在产业化和定制加工方面，基于柔性PI的器件研究开发，深圳的民营科技走在前列。例如基于柔性PI衬底的太赫兹器件、柔性电生理电极、脑机接口柔性电极、电刺激/记录电极、柔性PI超表面器件等等 现代化MEMS微纳米加工
