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MEMS微纳米加工基本参数
  • 品牌
  • 勃望初芯半导体
  • 型号
  • MEMS微纳米加工
MEMS微纳米加工企业商机

高精度姿态/轨道测量新方法并研制了MEMS磁敏感器、MIMU惯性微系统、MEMS太阳敏感器、纳\皮型星敏感器等空间微系统,相关成果填补了多项国内空白,已在探月工程、高分专项等国家重大工程以及国内外百余颗型号卫星中得到应用推广,并实现了出口欧、美、日等国。在我国率先开展了微纳航天器的技术创新与工程实践,将三轴稳定方式用于25kg以下的微小卫星,成功研制并运行了国内纳型卫星NS-1卫星,也是当时世界上在轨飞行的“轮控三轴稳定卫星”(2004年)。2015年研制并发射了NS-2(10公斤量级)MEMS技术试验卫星,成功开展了基于MEMS的空间微型化器组件试验研究。NS-2卫星的有效载荷包括纳型星敏感器、低功耗MEMS太阳敏感器、硅基MEMS陀螺、MEMS石英音叉陀螺、MEMS磁强计、北斗-II/GPS接收机等自主研发的MEMS器件及微系统。同时还成功研制并发射皮型ZJ-1(100克量级)MEMS技术试验卫星,采用单板集成的综合电子系统,搭载试验商用微型CMOS相机,MEMS磁强计、新型商用电子元器件。MEMS的磁敏感器是什么?采用微纳米加工的MEMS微纳米加工发展现状

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MEMS具有以下几个基本特点,微型化、智能化、多功能、高集成度和适于大批量生产。MEMS技术的目标是通过系统的微型化、集成化来探索具有新原理、新功能的元件和系统。 MEMS技术是一种典型的多学科交叉的前沿性研究领域,几乎涉及到自然及工程科学的所有领域,如电子技术、机械技术、物理学、化学、生物医学、材料科学、能源科学等。MEMS是一个单独的智能系统,可大批量生产,其系统尺寸在几毫米乃至更小,其内部结构一般在微米甚至纳米量级。例如,常见的MEMS产品尺寸一般都在3mm×3mm×1.5mm,甚至更小。微机电系统在国民经济和更高级别的系统方面将有着广泛的应用前景。主要民用领域是电子、医学、工业、汽车和航空航天系统。湖北现代化MEMS微纳米加工MEMS的超透镜是什么?

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基于MEMS技术的SAW器件:

  声表面波(SAW)传感器是近年来发展起来的一种新型微声传感器,是种用声表面波器件作为传感元件,将被测量的信息通过声表面波器件中声表面波的速度或频率的变化反映出来,并转换成电信号输出的传感器。

  声表面波传感器能够精确测量物理、化学等信息(如温度、应力、气体密度)。由于体积小,声表面波器件被誉为开创了无线、小型传感器的新纪元,同时,其与集成电路兼容性强,在模拟数字通信及传感领域获得了广泛的应用。

  声表面波传感器能将信号集中于基片表面、工作频率高,具有极高的信息敏感精度,能迅速地将检测到的信息转换为电信号输出,具有实时信息检测的特性,另外,声表面波传感器还具有微型化、集成化、无源、低成本、低功耗、直接频率信号输出等优点。

MEMS制作工艺-太赫兹传感器:

  超材料(Metamaterial)是一种由周期性亚波长金属谐振的单元阵列组成的人工复合型电磁材料,通过合理的设计单元结构可实现特殊的电磁特性,主要包括隐身、完美吸和负折射等特性。目前,随着太赫兹技术的快速发展,太赫兹超材料器件已成为当前科研的研究热点,在滤波器、吸收器、偏振器、太赫兹成像、光谱和生物传感器等领域有着广阔的应用前景。

  这项研究提出了一种全光学、端到端的衍射传感器,用于快速探测隐藏结构。这种衍射太赫兹传感器具有独特的架构,由一对编码器和解码器构成的衍射网络组成,每个网络都承担着结构化照明和空间光谱编码的独特职责,这种设计较为新颖。基于这种独特的架构,研究人员展示了概念验证的隐藏缺陷探测传感器。实验结果和分析成功证实了该单像素衍射太赫兹传感器的可行性,该传感器使用脉冲照明来识别测试样品内各种未知形状和位置的隐藏缺陷,具有误报率极低、无需图像形成和采集以及数字处理步骤等特点。 MEMS的研究内容与方向是什么?

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MEMS研究内容一般可以归纳为以下三个基本方面: 1.理论基础: 在当前MEMS所能达到的尺度下,宏观世界基本的物理规律仍然起作用,但由于尺寸缩小带来的影响(Scaling Effects),许多物理现象与宏观世界有很大区别,因此许多原来的理论基础都会发生变化,如力的尺寸效应、微结构的表面效应、微观摩擦机理等,因此有必要对微动力学、微流体力学、微热力学、微摩擦学、微光学和微结构学进行深入的研究。这一方面的研究虽然受到重视,但难度较大,往往需要多学科的学者进行基础研究。2. 技术基础研究:主要包括微机械设计、微机械材料、微细加工、微装配与封装、集成技术、微测量等技术基础研究。3. 微机械在各学科领域的应用研究。MEMS四种ICP-RIE刻蚀工艺的不同需求。新型MEMS微纳米加工商家

汽车上的MEMS传感器有哪些?采用微纳米加工的MEMS微纳米加工发展现状

MEMS制作工艺深硅刻蚀即ICP刻蚀工艺:硅等离子体刻蚀工艺的基本原理干法刻蚀是利用射频电源使反应气体生成反应活性高的离子和电子,对硅片进行物理轰击及化学反应,以选择性的去除我们需要去除的区域。被刻蚀的物质变成挥发性的气体,经抽气系统抽离,然后按照设计图形要求刻蚀出我们需要实现的深度。干法刻蚀可以实现各向异性,垂直方向的刻蚀速率远大于侧向的。其原理如图所示,生成CF基的聚合物以进行侧壁掩护,以实现各向异性刻蚀刻蚀过程一般来说包含物理溅射性刻蚀和化学反应性刻蚀。对于物理溅射性刻蚀就是利用辉光放电,将气体解离成带正电的离子,再利用偏压将离子加速,溅击在被蚀刻物的表面,而将被蚀刻物质原子击出(各向异性)。对于化学反应性刻蚀则是产生化学活性极强的原(分)子团,此原(分)子团扩散至待刻蚀物质的表面,并与待刻蚀物质反应产生挥发性的反应生成物(各向同性),并被真空设备抽离反应腔采用微纳米加工的MEMS微纳米加工发展现状

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