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锂电池PACK设计过程中锂电池保护IC是保护芯片的，首先取样电池电压，然后通过判断发出各种指令。MOS管：它主要起开关作用 2、保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极(这时MOS1被D1短路)，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。 高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片，具有功能全、集成度高，外部电路简单，调节方便。XB8886I电源管理ICNTC充电管理

5301C、6501C、STP01、STP02、3IS1、A0v、3A、6A、6D、6B、XBaca、XBaaA、2h1Hj、XB4908、5136IS、5152I2SZ、3IS3、H3A3b1、3A3d1、6A3Z、6D3K、XBaaA3b1、XBaaA3b2、XB4908AJ、XB4908AJ3K2、XB4908GJ1w1、XB4908GJ3d1、5306A3T、5306A3W、5307A3A、5332A2W5、5332A2w、55352A3T、5352AR、3Q5352G2n、5352G3T、5352G3T/、5352G2r、5353A3T、5353A3W、5606AJ2s3、5606AJ2u1、5606AJ2v、15606AJ2z6、5606GJ1E、5608AJ2z、5608AJ3K、XB6008H3Q、3J131dA、6096J9o、6096J9q、6096JS0N、XB7608A2S3、XB7608A2S6、XB7608AJ3c1、XB7608AJL3a1、XB7608GJ3Z、XB7608GJ3d、XB8089D2h、XB8089D3T、XB8089D3U、XB8089G2n、XB8608AJ2W、XB8608AJ2s、XB8886A3B4、XB8886A3X1、XB8886A3b4、XB8886G3H、XB8989A2x、XB8989A3V31ihv、XC30713M、XC31012u、3105AN1w、50150y、50151P、AN1R、AN1S、XR29812e/、XR29812g、34033L、9u27、2m2DV、2n2DV、2f1D、a2g1Da、2g2Da2g2Da/、2f1Da、2g3Da、2g3Da/、2g2Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、XC3062C电源管理IC赛芯微代理适用范围：适用于标称电压3.7V，充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好!

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。

图3： “二芯合一”的锂电池保护方案。 由于内部两个芯片实际仍来自于不同厂商，外形不能很好匹配，因此导致封装形状各异，很多情况下不能采用通用封装。这种封装体积比较大，又不能节省外置元件，所以这种“二芯合一”的方案实际上并省不了太多空间。在成本方面，虽然两个封装的成本缩减成一个封装的成本，但由于这个封装通常比较大，有的不是通用封装，有的为了缩小封装尺寸，需要用芯片叠加的封装形式，因此与传统的两个芯片的方案相比，其成本优势并不明显。 图4是一种真正的将控制器芯片及开关管芯片集成在同一晶圆的单芯片方案。传统方案原理图1中的开关管是N型管，接在图1中的B-与P-之间，俗称负极保护。 图4中的方案由于技术原因，开关管只能改为P型管，接在B+与P+之间，俗称正极保护。用此芯片完成保护板方案后，在检测保护板时用户需要更换测试设备及理念。此方案虽然减少了一定的封装成本，但芯片成本并没有得到减少，在与量大成熟的传统方案竞争时也没有真正的成本优势。相反其与传统方案不相容的正极保护理念成了其推广过程的巨大障碍。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。

同步 异步 指的是芯片的整流方式！一般情况下同步使用MOS整流 异步使用二极管，由于MOS导通电阻和压降比较低 因此可以提供高效率。 所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式，该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管，因此能降低整流器的损耗，提高DC／DC变换器的效率，满足低压、大电流整流的需要。所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式，该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管，因此能降低整流器的损耗，提高DC／DC变换器的效率，满足低压、大电流整流的需要。线圈一体型micro DC/DC转换器。XB5358K电源管理IC上海芯龙

锂电池保护系列XySemi的产品系列，产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超大容量电池。XB8886I电源管理ICNTC充电管理

可用太阳能电池供电的锂电池充电管理芯片CN3063  CN3063是可以用太阳能电池供电的单节锂电池充电管理芯片。该器件内部包括功率晶体管，应用时不需要外部的电流检测电阻和阻流二极管。内部的8位模拟-数字转换电路，能够根据输入电压源的电流输出能力自动调整充电电流，用户不需要考虑坏情况，可大限度地利用输入电压源的电流输出能力，非常适合利用太阳能电池等电流输出能力有限的电压源供电的锂电池充电应用。CN3063只需要极少的元器件，并且符合USB 总线技术规范，非常适合于便携式应用的领域。热调制电路可以在器件的功耗比较大或者环境温度比较高的时候将芯片温度控制在安全范围内。内部固定的恒压充电电压为4.2V，也可以通过一个外部的电阻调节。充电电流通过一个外部电阻设置。当输入电压掉电时，CN3063自动进入低功耗的睡眠模式，此时电池的电流消耗小于3微安。其它功能包括输入电压过低锁存，自动再充电，电池温度监控以及充电状态/充电结束状态指示等功能。XB8886I电源管理ICNTC充电管理