ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。XB6097IS电源管理ICNTC充电管理
2sA1、3PB3、3PC3、N802BT、3R0H18、0K18、XB6706U0z、XB6706U1F、XB6706U1m、XB6706U3P、XB6706U3R、6096J9X、6096J9c、6096J9j、6096J9j、6096J9r、6096J9m、6096J9o、6096J9r、6096J9t、XS5309C3a、3m1FAB、3e1EAB、2m1EAB、2e1EAB、2m1EAB、2V1EAE、2L1EAE、3T1FAA、2Z1EA、L3e1EA、B9u27、2n2DV、2f1Da、2g1Da、2g2Da、2g3Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、2sA1、3fAF、3mBF、0H18、0K18、3KAOC、XS5309C3a、XBaaA3n1、AL313、5891A3L1、3A6B5、3HAPB、3P1HaXB6061I2电源管理IC赛芯微代理线圈一体型micro DC/DC转换器。
XB8089A、XB8089D、XB8089D0、XB8089D3、XB8089G、XB8608AF、XB8608AFJ、XB8608AJ、XB8608G、XB8702I、XB8703I、XB8783A、XB8783AHM、XB8783G、XB8789D0、XB8886A、XB8886AR、XB8886AZ、XB8886G、XB8886I、XB8886M、XB8887A、XB8889A、XB8989AF、XB8989GF、XB8989MF、XB9121H2、XB9241A、XB9241G、XB9901A、XB9901G。XBDL61515JS、XBDL63030JS、XBG4508A、XBG6096MS、XBGL6034QS、XBGL6155MS、XBL6015J2SSM、XBL6015M2SSM、XBL6015Q2SSM、XBL6015Q2SSM、XBL6032J2SSM、XBL6032Q2SSM、XBL6042JSSM、XBL6042QSSM、XBL6083J2SSM、XBM3204BCA、XBM3204DBA、XBM3204JFG、XBM3212DGB、XBM3212JFG、XBM3214BCA、XBM3214DBA、XBM3214DCA、XBM3214DG、BXBM3214JFG、XBM3215MDA、XBM3215DGB、XBM3215JFG、XBR4303A、XBR5152QS、XBR5355A、XBR6096QS、XB4432SKP2、XC3062A、XC3062C、XC3071A、XC3071AT、XC3071C、XC3098VYP、XC3101A、XC3105AX、C3105AN、XC3105C、XC3105CN、XC3106A、XC3106AN、XC3106CN、XC3108RA、XC3108RC、XC3108RD、XC3108VA、XC5011、XC5015、XC5016、XC5071、XC5101、XC5105A、XF5131
保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,磷酸铁锂电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极,IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。 4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。两串两节保护、带均衡或者不带均衡。
Xysemi设计团队成员都有多年美国模拟电路设计公司的工作经验,曾设计出多款电源管理类产品。 “电池保护系列产品”是Xysemi的产品系列,产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超大容量电池.该系列产品在性能参数,方案面积上与传统方案相比具有颠覆性的优势,本公司在“电池保护系列”产品上拥有大量的国内和国际专利。 Xysemi现有的主导产品系列包括“电池保护系列产品”,“SOC系列产品”,DC-DC 降压系列,DC-DC 升压系列 以及屏背光系列等.充电管理芯片、LED驱动芯片、直流 - 直流转换芯片、温度开关芯片、电池放电管理芯片。XS5308A电源管理IC拓微电子
锂电池电保护芯片小封装、低功耗、智能穿戴应用。XB6097IS电源管理ICNTC充电管理
CN3086 镍锌电池电压高。与过去的AA电池相比它的电压达到1.6V。比镍氢电池的1.2V要高得多,更适用于传统的使用1.5V电池的电器。它可以使闪光灯回电更快。使数码相机充分用完其电量。而很多镍氢电池用在数码相机上使用了30%的电量就低电关机了。(2010年12月)AA型号的镍锌电池的容量只有1300mAh左右,但是,它的放电能量已经达到8300焦耳以上。的镍氢电池eneloop相比,差别并不大,eneloop放电能量大约在9000焦耳左右。 镍锌电池放电电流强。已经运用在电动汽车上了。一颗AA镍锌电池,在2A电流放电下可以放出超过7200焦耳的能量。镍锌电池更环保,镍和锌都是可回收而且容易回收的金属。镍锌电池由于至2013还是比较新的产品,全球主要由一个美国公司PowerGenix生产,所以价格还是比较高。相信在未来几年其价格可以降到镍氢电池同一水平。关于镍锌电池的安全电压范围,大众根据其充电器满电压1.9v判断,安全电压为1.2v,即1.2v~1.9v。 在实际使用中,有人将电池过充过放导致电池失效或损坏,详情搜索 "镍锌 过放" 看看小白鼠自愿者们的贡献。XB6097IS电源管理ICNTC充电管理
DS6036B集成NTC功能,可检测电池温度。DS6036B工作的时候,在NTC引脚产生一个恒流源,与外部NTC电阻来产生电压。芯片内部通过检测NTC引脚的电压来判断当前电池的温度。DS6036B刚刚接入电池时,显示全部点亮5s,在非充电状态,当电池电压过低触发低电关机,DS6036B会进入锁定状态。DS6036B为了降低静态功耗,在电池低电锁定状态下,DS6036B不支持负载插入检测功能,此时按键动作无法开启升降压输出,只能用于查看电量。DS6036B在锁定状态,必须要有充电动作才能使能芯片功能。锂电充电管理、DC降压 0.5-1A电流 +OVP过压保护 。电源管理ICXB7608GJDS5...