内蒙古微型二极管规范

电子元件家族当中，有一种只允许电流由单一方向流过，具有两个电极的元件，称为二极管，英文是“Diode”，是现代电子产业的基石。电子学习资料大礼包早期的二极管早期的二极管包含“猫须晶体”(CatsWhiskerCrystals)和真空管(ThermionicValves)。1904年，英国物理学家弗莱明根据“爱迪生效应”发明了世界上只电子二极管——真空电子二极管。它是依靠阴极热发射电子到阳极实现导通。电源正负极接反则不能导电，它是一种能够单向传导电流的电子器件。早期电子二极管存在体积大、需预热、功耗大、易破碎等问题，促使了晶体二极管的发明。晶体二极管又称半导体二极管。1947年，美国人发明。在半导体二极管内部有一个PN结和两个引出端。这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。现今普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。晶体二极管结构晶体二极管的是PN结，关于PN结首先要了解三个概念。本征半导体：指不含任何掺杂元素的半导体，如纯硅晶片或纯锗晶片。P型半导体：掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体，如在本征半导体中Si(4+)中掺入Al(3+)的半导体。N型半导体：掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体，如在本征半导体中硅Si(4+)中掺入磷P。上海藤谷电子科技有限公司为您提供二极管，有想法的不要错过哦！内蒙古微型二极管规范

并部分延伸至所述氧化层上；在所述氧化层远离所述肖特基结的两端进行蚀刻形成防水槽；在所述氧化层远离所述衬底一侧制作钝化层，其中，所述钝化层包括填充于所述防水槽并在所述防水槽的位置形成与防水槽咬合的凸起。在本申请的一种可能实施例中，蚀刻所述氧化层，在所述外延层远离所述衬底的一侧形成半导体环的步骤，包括：在所述氧化层远离所述衬底的一侧均匀涂覆光刻胶层；通过带有半导体环图案的掩模对所述光刻胶层进行光刻，在所述光刻胶层上刻出半导体环图案；使用腐蚀溶剂对所述氧化层进行腐蚀，将所述半导体环图案转移到所述氧化层；使用光刻胶溶剂将所述氧化层残留的光刻胶去除；在所述半导体环图案对应区域注入离子，经扩散炉中退火处理在所述半导体环图案对应区域形成半导体环。在本申请的一种可能实施例中，将所述半导体环之间的所述氧化层蚀刻掉，在蚀刻后形成的区域中制作肖特基结的步骤，包括：在所述氧化层远离所述衬底的一侧涂覆光刻胶层；通过带有肖特基结图案的掩模对所述光刻胶层进行光刻，在所述光刻胶层上刻出肖特基结图案；用腐蚀溶剂进行腐蚀，将所述肖特基结图案转移到所述氧化层；蚀刻所述肖特基结图案对应区域内残留的氧化层；通过物相淀积法。安徽虅谷二极管上海藤谷电子科技有限公司是一家专业提供二极管的公司，期待您的光临！

而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。肖特基二极管和稳压二极管的区别肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

当瞬时脉冲峰值电流出现时，TVS被击穿，并由击穿电压值上升至比较大箝位电压值，随着脉冲电流呈指数下降，箝位电压亦下降，恢复到原来状态。因此，TVS能可能出现的脉冲功率的冲击，从而有效地保护电子线路。峰值电流波形A.正弦半波B.矩形波C.标准波(指数波形)D.三角波TVS峰值电流的试验波形采用标准波(指数波形)，由TR/TP决定。峰值电流上升时间TR:电流从10%IPP开始达到90%IPP的时间。半峰值电流时间TP:电流从零开始通过比较大峰值后，下降到。下面列出典型试验波形的TR/TP值:/1000nsB.闪电波:8μs/20μsC.标准波:10μs/1000μs3.比较大反向工作电压VRWM(或变位电压)器件反向工作时，在规定的IR下，器件两端的电压值称为比较大反向工作电压VRWM。通常VRWM=()V(BR)。上海藤谷电子科技有限公司致力于提供二极管，欢迎您的来电哦！

因氧化层开设有防水凹槽，即便环境中存在水汽，水汽在侵入时也会聚集在防水槽1031，不会进入到肖特基结，进一步确保肖特基二极管不会失效。在本申请实施例的一种可能的实施方式中，衬底101和外延层102可以为n型半导体层，半导体环104可以为p型半导体环。在本申请实施例的另一种可能的实施方式中，衬底101和外延层102可以为p型半导体层，半导体环104可以为n型半导体环。在本申请实施例中，在衬底101和外延层102为n型半导体层，半导体环104为p型半导体环时，衬底101可以为重掺杂半导体层，衬底101的电阻率可以为ω·cm；外延层102可以为轻掺杂半导体层，外延层102的电阻率可以为ω·cm，其中，外延层102的厚度可以为5μm－30μm。防水槽1031可以是一种规则形状的凹槽，也可以是不规则形状的凹槽。例如图1及图2所示，防水槽1031可以是u型槽，也可以是v型槽，当然还可以是其他形状的凹槽或者不同形状凹槽的组合。防水槽1031的深度小于氧化层103的厚度。在本申请实施例中，肖特基结108由多层金属组成，具体地，该多层金属可以包括ti、ni、ag等。请参照图3，本申请实施例还提供一种用于制造上述肖特基二极管10的制造方法，该制造方法包括以下步骤：步骤s301，请参照图4a。上海藤谷电子科技有限公司为您提供二极管，期待您的光临！安徽模拟二极管费用

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即便环境中存在水汽，水汽在侵入时也会聚集在防水凹槽，不会进入到肖特基结，确保肖特基二极管不会失效。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本申请实施例提供的一种肖特基二极管的结构示意图之一；图2为本申请实施例提供的一种肖特基二极管的结构示意图之二；图3为本申请实施例提供的制造图1中肖特基二极管的方法流程示意图；图4a-图4f为本申请实施例提供的制造图1中肖特基二极管的制造工艺示意图；具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例。内蒙古微型二极管规范

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