刻蚀也可以分成有图形刻蚀和无图形刻蚀。有图形刻蚀采用掩蔽层（有图形的光刻胶）来定义要刻蚀掉的表面材料区域，只有硅片上被选择的这一部分在刻蚀过程中刻掉。有图形刻蚀可用来在硅片上制作多种不同的特征图形，包括栅、金属互连线、通孔、接触孔和沟槽。无图形刻蚀、反刻或剥离是在整个硅片没有掩模的情况下进行的，这种刻蚀工艺用于剥离掩模层（如STI氮化硅剥离和用于制备晶体管注入侧墙的硅化物工艺后钛的剥离）。反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。刻蚀技术可以通过选择不同的刻蚀模板和掩模来实现不同的刻蚀形貌和结构。福州刻蚀液
选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少，它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。基本内容：高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料（刻蚀到恰当的深度时停止）并且保护的光刻胶也未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度。高选择比在较先进的工艺中为了确保关键尺寸和剖面控制是必需的。特别是关键尺寸越小，选择比要求越高。广东省科学院半导体研究所。徐州ICP刻蚀湿法刻蚀是一种常见的刻蚀方法，通过在化学溶液中浸泡材料来实现刻蚀。
刻蚀原理介绍主要工艺参数刻蚀液更换频率的管控刻蚀不良的产生原因单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版标题样式刻蚀工艺介绍辛小刚刻蚀原理介绍刻蚀主要工艺参数刻蚀液更换频率的管控刻蚀不良原因分析刻蚀是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻胶保护的Metal/ITO膜通过化学反应去除掉，较终形成制程所需要的图形。刻蚀种类目前我司的刻蚀种类主要分两种：1、Metal刻蚀刻蚀液主要成分：磷酸、硝酸、醋酸、水。Metal：合金金属2、ITO刻蚀刻蚀液主要成分：盐酸、硝酸、水。ITO：氧化铟锡（混合物）Metal刻蚀前后：ITO刻蚀前后：刻蚀前后对比照片12345刻蚀液浓度刻蚀温度刻蚀速度喷淋流量过刻量刻蚀液的浓度对刻蚀效果影响较大，所以我们主要通过：来料检验、首片确认、定期更换的方法来保证。
材料刻蚀是一种常用的微纳加工技术，用于制作微电子器件、MEMS器件、光学器件等。刻蚀设备是实现材料刻蚀的关键工具，主要分为物理刻蚀和化学刻蚀两种类型。物理刻蚀设备主要包括离子束刻蚀机、反应离子束刻蚀机、电子束刻蚀机、激光刻蚀机等。离子束刻蚀机利用高能离子轰击材料表面，使其发生物理变化，从而实现刻蚀。反应离子束刻蚀机则在离子束刻蚀的基础上，通过引入反应气体，使得刻蚀更加精细。电子束刻蚀机则利用高能电子轰击材料表面，实现刻蚀。激光刻蚀机则利用激光束对材料表面进行刻蚀。化学刻蚀设备主要包括湿法刻蚀机和干法刻蚀机。湿法刻蚀机利用化学反应溶解材料表面，实现刻蚀。干法刻蚀机则利用化学反应产生的气体对材料表面进行刻蚀。总的来说，不同类型的刻蚀设备适用于不同的材料和刻蚀要求。在选择刻蚀设备时，需要考虑材料的性质、刻蚀深度、刻蚀精度、刻蚀速率等因素。干法刻蚀是一种使用气体或蒸汽来刻蚀材料的方法，通常用于制造微电子器件。
刻蚀是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性刻蚀的技术，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。刻蚀分为干法刻蚀和湿法腐蚀。原位芯片目前掌握多种刻蚀工艺，并会根据客户的需求，设计刻蚀效果好且性价比高的刻蚀解决方案。刻蚀技术主要应用于半导体器件，集成电路制造，薄膜电路，印刷电路和其他微细图形的加工等。广东省科学院半导体研究所。刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。深圳盐田刻蚀设备
刻蚀技术可以使用化学或物理方法，包括湿法刻蚀、干法刻蚀和等离子体刻蚀等。福州刻蚀液
介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如二氧化硅。干法刻蚀优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。干法刻蚀方式比较多，一般有：溅射与离子束铣蚀，等离子刻蚀（PlasmaEtching），高压等离子刻蚀，高密度等离子体（HDP）刻蚀，反应离子刻蚀（RIE）。另外，化学机械抛光CMP，剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。福州刻蚀液
