电容基本参数
  • 品牌
  • 芯声
  • 型号
  • 齐全
  • 介质材料
  • 高频瓷介,半导体瓷,低频瓷介
  • 工作电压
  • 高压,中压,低压
  • 用途
  • 谐振,温度补偿,旁路,滤波,隔直流,耦合,放大信
  • 调节方式
  • 固定,微调,可变
  • 厂家
  • 江苏芯声微电子科技有限公司
电容企业商机

什么是MLCC片式多层陶瓷电容器(Multi-layerCeramicCapacitor简称MLCC)是电子整机中主要的被动贴片元件之一,它诞生于上世纪60年代,较早由美国公司研制成功,后来在日本公司(如村田Murata、TDK、太阳诱电等)迅速发展及产业化,至今依然在全球MLCC领域保持优势,主要表现为生产出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高频率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特点。MLCC—简称片式电容器,是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来,经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片,再在芯片的两端封上金属层(外电极),从而形成一个类似独石的结构体,故也叫独石电容器。电解电容由于有正负极性,因此在电路中使用时不能颠倒联接。北京高频电容规格

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内部电极通过逐层堆叠,增加电容两极板的面积,从而增加电容容量。陶瓷介质是内部填充介质,不同介质制成的电容器具有不同的特性,如容量大、温度特性好、频率特性好等等,这也是陶瓷电容器种类繁多的原因。陶瓷电容器基本参数:电容的单位:电容的基本单位是F(法),此外还有F(微法)、nF、pF(微微法)。因为电容F的容量很大,所以我们通常看到的是F、nF、pF的单位,而不是F。它们之间的具体转换如下:1F=1000000μF1μF=1000nF=1000000pF上海贴片电阻MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitors)是片式多层陶瓷电容器英文缩写。

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MLCC特征:MLCC具有体积小、电容大、高频使用时损失率低、易于芯片化、适合大批量生产、价格低、稳定性高等特点。在信息产品轻薄短小,表面贴装技术(SMT)应用日益普及的市场环境下,其使用量极其巨大。MLCC工艺流程:MLCC制造工艺:以电子陶瓷材料为介质,将预制好的陶瓷浆料流延制成所需厚度的陶瓷介质膜,然后在介质膜上放置印刷内电极,将印刷有内电极的陶瓷介质膜交替堆叠并热压成多个并联的电容器,然后在高温下一次烧结成不可分割的整体芯片,然后在芯片的端部涂上外部电极浆料,使其与内部电极电连接,形成MLCC的两极。

MLCC电容1.成分:陶瓷粉、粘合剂、溶剂等。按一定比例球磨一定时间,形成陶瓷浆料。2.流延:将陶瓷浆料通过流延机的浇注口,涂在旁通的PET膜上,使浆料形成均匀的薄层,然后通过热风区(挥发掉浆料中的大部分溶剂),干燥后即可得到陶瓷膜。通常,膜的厚度在10um和30um之间。3.印刷:根据工艺要求,将内电极糊印刷通过丝网印刷板涂在陶瓷隔膜上。4.层压:根据设计位错要求将具有内部电极的印刷陶瓷隔膜层压在一起以形成MLCC棒。5.制作盖子:制作电容器的上下保护片。层压时,在底部和顶部表面添加陶瓷保护片,以增加机械强度并提高绝缘性能。电容作为基本元器件之一,实际生产的电容都不是理想的,会有寄生电感,等效串联电阻存在。

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铝电解电容器的击穿是由于阳极氧化铝介质膜破裂,导致电解液与阳极直接接触。氧化铝膜可能由于各种材料、工艺或环境条件而局部损坏。在外加电场的作用下,工作电解液提供的氧离子可以在受损部位重新形成氧化膜,从而对阳极氧化膜进行填充和修复。但如果受损部位有杂质离子或其他缺陷,使填充修复工作不完善,阳极氧化膜上会留下微孔,甚至可能成为通孔,使铝电解电容器击穿。阳极氧化膜不够致密牢固等工艺缺陷,后续铆接工艺不好时,引出箔上的毛刺刺破氧化膜,这些刺破的部位漏电流很大,局部过热导致电容产生热击穿。陶瓷电容器品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×0.5mm)。常州陶瓷片电容规格

当铝电解电容在高温或潮热的环境中工作时,阳极引出箔片可能会由于遭受电化学腐蚀而断裂。北京高频电容规格

电容容量,普通陶瓷电容的电容范围:0.5pF~100uF。陶瓷的电容从0.5pF开始可以达到100uF,根据不同的电容封装(尺寸)电容会有所不同。在选择电容器时,不能盲目选择大容量。选对了才是对的。比如0402电容可以做到10uF/10V,0805电容可以做到47uF/10V。但为了采购好,成本低,一般不选择电容。一般建议0402选用4.7uF-6.3V,0603选用22uF/6.3,0805选用47uF/6.3V。其他更高的耐受电压需要相应降低。如果满足要求,选择主要看是否常用,价格是否低廉。额定电压陶瓷电容器常见的额定电压有:2.5V、4V、6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、200V、250V、450V、500V、630V、1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV等。北京高频电容规格

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