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二极管基本参数
  • 品牌
  • 盟科,MENGKE
  • 型号
  • 齐全
  • 类型
  • TVP管,调制二极管,激光二极管,隧道二极管,江崎二极管,继流二极管,平面二极管,频率倍增二极管,旋转二极管,晶体二极管,混频二极管,雪崩二极管,齐纳二极管,阻尼二极管
  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,锗Ge,磷铟砷化镓GaAsInP,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,磷化铝镓铟AlGaInP,氮N,镓Ga,磷P,氮化镓GaN
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

二极管中的电子二极管只具有一个阴极与一个 阳极(板极)的 电子管。也叫真空二极管。只它是靠被 灯丝加热的阴极发射电子导电的。具有单向导电性能,即阳极电位高于阴极时,阴极发射的电子在电场的作用下,向阳极运动形成 电子流。而阴极电压比阳极高时,电子所受到的 电场力是将电子拉回阴极的,不能产生电流,一般用于整流与检波,有真空与充气(充有 惰性气体)两种电子 二极管。充气二极管也可以做稳压、指示、控制之用。二极管的导通和截止状态完成开与关功能。开关二极管就是利用这种特性,且通过制造工艺,开关特性更好,即开关速度更快,PN结的结电容更小,导通时的内阻更小,截止时的电阻很大。稳压管与普通二极管的主要区别在于,稳压管是工作在PN结的反向击穿状态。浙江阻尼二极管用途

二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。恒流二极管原理发光二极管的原理与光电二极管相反。

二极管的发现和发展:1874年,德国物理学家卡尔·布劳恩在卡尔斯鲁厄理工学院发现了晶体的整流能力。因此1906年开发出的代二极管——“猫须二极管”是由方铅矿等矿物晶体制成的。20世纪初,由于无线电接收器探测器的需要,热离子二极管(真空管)和固态二极管(半导体二极管)大约在相同的时间分别研发。直到20世纪50年代之前,真空管二极管在收音机中都更为常用。这是因为早期的点接触式半导体二极管(猫须探测器)并不稳定,并且那时大多数的收音机放大器都是由真空管制成,二极管可以直接放入其中。而且那时真空管整流器和充气整流器处理一些高电压、高电流整流任务的能力更是远在半导体二极管(如硒整流器)之上。现如今的二极管大多是使用硅来生产,锗等其它半导体材料有时也会用到。目前常见的结构是,一个半导体性能的结晶片通过PN结连接到两个电终端。

二极管具有阳极和阴极两个端子,电流只能往单一方向流动。也就是说,电流可以从阳极流向阴极,而不能从阴极流向阳极。对二极管所具备的这种单向特性的应用,通常称之为“整流”功能。在真空管内,借由电极之间加上的电压能够让热电子从阴极到达阳极,因而有整流的作用。将交流电转变为脉动直流电,包括无线电接收器对无线电信号的调制,都是通过整流来完成的。因为其顺向流通逆向阻断的特点,二极管可以想象成电路中的单向阀。然而实际上,二极管并不会表现出如此完美的开关性,而是呈现出较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。一般来说,只有在正向超过开启电压时,二极管才会工作(此状态被称为正向偏压)[6]。一个正向偏置的二极管两端的电压降变化只与电流有一点关系,并且是温度的函数。因此这一特性可用于温度传感器或参考电压。二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。

二极管的正向特性:外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。 当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。 当二极管两端的正向电压超过一定数值 ,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。 叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。二极管可以想象成电路中的单向阀。杭州TOS二极管特点

光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。浙江阻尼二极管用途

二极管PN结形成原理:P型半导体是在本征半导体(一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体)掺入少量三价元素杂质,如硼等。因硼原子只有三个价电子,它与周围的硅原子形成共价键,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空位,当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位,使硼原子成了不能移动的负离子,而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子,形成了空穴,但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。 N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子,如磷等。掺入后,它与硅原子形成共价键,产生了自由电子。在N型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。浙江阻尼二极管用途

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