形状不规则的片料或大块硅料在指定区域砸碎,对片料进行破碎,使用砸料箱,注意此过程必须戴PVC手套、护目镜,防止危害人体。挑选“硅料表面比较光滑的面”。大小块料要尽量均匀,碎料尽量用来填缝隙。在装料过程中,一定不能碰到坩埚内壁,发现破坏要取出硅料,重新喷涂,直至符合要求再用。一半的硅料装完后,领取掺杂剂,用电子天平称重后均匀的放置到硅料的表面。掺杂剂假如完成后,继续加入硅料,直至达到规定数量为止。加热在真空状态下开始加热、按照一定的工艺程序,对硅料、热场、坩埚等进行排湿、排杂。熔化熔化与加热的延伸、也可以理解为加热,但在工艺程序上的设计上有较大的差别,熔化是将固体硅转化成液体硅,温度比较高可达1560度。操作者在中心观测孔观测是否融化完成,连续观测3-5分钟,若没有硅料固体出现,程序方可继续向后运行。长晶熔进入长晶阶段,打开隔热笼以冷却DS-BLOCK,坩埚内硅液顺着温度梯度,从底部向顶部定向凝固。操作者在中心观察孔观察是否透顶手动选择合适的步骤。退火因在长晶阶段硅锭存在温度梯度,内部存在应力。若直接冷却出炉,硅锭存在隐裂,在开方和线切阶段,外力作用会使硅片破裂。
而薄膜电池如果能够解决转换效率不高、制备薄膜电池所用设备价格昂贵等问题,会有巨大的发展空间。青海电池片磨具
硅单晶Cz法拉制P型硅和N型硅的流程几乎相同,但由于硼在硅中更易保证均匀性,故P型硅的制备相对简单,工艺技术也更加成熟,目前在P型硅片衬底上生产的P型电池是市场主流N型电池目前较主流的技术为TOPCon(隧穿氧化层钝化接触)和HJT(本征薄膜异质结)N型电池通过电子导电,且硼氧原子对造成的光致衰减较少,因此光电转换效率更高,将会是电池技术发展的主要方向对比P型优势,N型电池片少子是空穴,硅片中杂质对电子的捕获远大于空穴,根据普乐科技,在相同金属杂质污染的情况下,N型电池片表面复合速率低,少子寿命比P型电池片高1-2个数量级,能极大提升电池的开路电压,电池转换效率更高,晶体硅中硼含量极低,本质上削弱了硼氧对的影响,光致衰减效应接近于零,红外透过率高,电流通道多根据摩尔光伏,N型电池片工作温度较常规单玻组件低3-9°C,减小因温度提高带来的功率下降,根据摩尔光伏,N型电池片在辐照强度低于400W/m2的阴雨天及早晚仍可发电。四种主流技术路线一.PERC电池PERC(PassivatedEmitterandRearCell)电池,全称为“发射极和背面钝化电池”,是从常规铝背场电池AL-BSF结构自然衍生而来。 青海电池片磨具将单晶硅棒切成片,一般片厚约0.3毫米。
原位掺杂:PECVD制备多晶硅膜并原位掺杂工艺优势:沉积速度快,沉积温度低,轻微的绕镀,可以用PECVD直接制备多晶硅层,流程相对简化劣势:厚度均匀性较差,纯度低,存在气泡爆膜问题,导致致密度和良率较低目前产业化程度较慢,根据Solarzoom,目前拉普拉斯、捷佳伟创、金辰股份、无锡微导等国内设备厂商已经布局该方法原则上没有绕镀问题,与PERC产线不兼容,更适合新的产线,后续有望通过工艺的成熟改善镀膜稳定性,成为主流技术3.离子注入:LPCVD制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺优势:离子注入技术是单面工艺,掺杂离子无需绕镀,工艺温度低,成膜速度快劣势:扩硼工艺要比扩磷工艺难度大,需要更多的扩散炉和两倍的LPCVD,设备成本高,靶材用量大,方阻均匀性有偏差目前主要是隆基绿能有布局,因占地面积较大,几乎没有绕镀问题但是设备成本昂贵,正逐渐被边缘化成本分析,大部分的TOPCon产线可以从PERC产线升级得来,极大降低设备投资成本TOPCon产线延长了PERC产线生命周期,有助于降低折旧费用主要新增的设备包括:多晶硅/非多晶硅沉积的LPCVD/PECVD/PVD设备、硼扩散设备等。
当前晶硅电池研发效率的比较高水平从HBC量产效率来看,根据普乐科技。HBC电池量产转换效率达25%~,2017年,Kaneka将HBC电池世界纪录刷新到,这也是迄今为止晶硅太阳能电池研发效率的比较高水平IBC与非晶硅钝化技术的结合是未来IBC电池效率提升的方向之一,极具性价比的IBC衍生工艺路线将TOPCon钝化接触技术与IBC相结合,即是TBC电池,又名POLO-IBC电池从TBC量产效率来看,根据普乐科技,TBC电池量产转换效率达,Fraunhofer创下实验室比较高转换效率记录、降造成本,是实现IBC电池产业化的关键因素根据普乐科技测算,目前经典IBC的设备投资额约为3亿元/GW左右1.产线投资上由于IBC、TBC、HBC电池工艺路线分别兼容部分PERC、TOPCon、HJT的设备,通过开发配套工艺和设备升级改造,以小代价实现与目前规模化的生产线兼容的IBC工艺路线,能够带动XBC电池的工艺成熟,带动设备投资端的下降2.工艺设备上可采用半导体常用的精度更高、均匀性更好的离子注入设备代替光伏中均匀性较差的高温磷扩散设备制备前场区和背场区,叠加丝网印刷、PECVD沉积掩膜、激光开膜等产业化工艺取代复杂且昂贵的光刻掩膜、电镀等高成本技术,适用于量产化IBC电池3.材料选择上选用更低成本的TCO膜和靶材。 导电层可涂在玻璃板或者塑料片上,轻巧且有韧性,并可双面吸收光线。
多应用于对硅片要求较高的半导体领域直拉法(Cz-czochralski),光伏领域主要使用Cz法抽真空→检漏→压力化→熔料→稳定化→熔接→引晶→放肩→转肩→等径→收尾→停炉,以及两个重要辅助工艺——煅烧、副室隔离净化1.装料在高纯度石英坩埚中按层次装入多晶硅块料、粉料、颗粒料、掺杂剂,然后放入石墨坩埚并合炉。掺杂剂类型决定得到P型还是N型硅片2.抽空检漏合炉后,主泵对炉体内部进行抽空,为单晶生长提供洁净的环境。抽空至一定压力后,充入高纯度氩气,然后关闭,再抽,再充,反复几次,带走炉内杂质。此后要进行检漏3.压力化检漏完成,开启氩气阀,炉内压力逐渐升至晶体生长压力范围4.化料驱动石墨加热器电源,加热至大于硅的融化温度,使多晶硅和掺杂物熔化5.引晶熔液温度稳定到引晶范围后,降下籽晶接近液面,籽晶固体接触液面后,籽晶端头熔化,由于表面张力,籽晶与硅融体的固液交接面之间的硅融体冷却形成固态的硅单晶6.缩颈籽晶接触到硅液瞬间,其温度差产生的热应力引发位错,消除位错的方法是“缩颈”。在提拉过程中,逐渐缩小籽晶,将位错的排列挤压出去,并拉制细颈长度约晶棒直径大小7.放肩引晶至目标长度,减慢晶体提拉速度,降低温度,直径快速增大。
二氧化钛通常都用在油漆、防晒霜和食用色素中,成本低廉,适合大量生产。湖北电池片哪里买
用框架和材料进行封装。用户根据系统设计,可将太阳能电池组件组成各种大小不同的太阳能电池方阵。青海电池片磨具
电池片工艺流程:制绒(INTEX)→扩散(DIFF)→后清洗(刻边/去PSG)→镀减反射膜(PECVD)→丝网、烧结(PRINTER)→测试、分选(TESTER+SORTER)→包装(PACKING)。一、制绒制绒的目的是在硅片表面形成绒面面,以减少电池片的反射率,绒面凹凸不平可以增加二次反射,改变光程及入射方式。通常情况下用碱处理单晶,可以得到金字塔状绒面;用酸处理多晶,可以得到虫孔状无规则绒面。处理方式区别主要在与单多晶性质的区别。工艺流程:制绒槽→水洗→碱洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。一般情况下,硅与HF、HNO3(硅表面会被钝化)认为是不反应的。当存在于两种混合酸的体系中,硅与混合溶液的反应是持续性的。二、扩散扩散是为电池片制造心脏,是为电池片制造P-N结,POCl3是当前磷扩散用较多的选择。POCl3为液态磷源,液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好、制得PN结均匀平整及扩散层表面良好等优点。POCl3在大于600℃的条件下分解生成五氯化磷(PCl5)和五氧化二磷(P2O5),PCl5对硅片表面有腐蚀作用,当有氧气O2存在时,PCl5会分解成P2O5且释放出氯气,所以扩散通氮气的同时通入一定流量的氧气。 青海电池片磨具