外观检查规定1表盘上或外壳上至少应有下述标志符号:A.仪表名称或被测之量的标志符号;B.型号;C.系别符号;D.准确度等级;E.厂名或厂标;F.制造标准号;G.制造年月或出厂编号;H.电流种类或相数,三相仪表中测量机构的元件数量;I.正常工作位置;J.互感器的变比(指与互感器联用的仪表);K.定值导线值(或符号)和分流器额定电压降值(对低量限电压表的要求)。2仪表的端钮和转换开关上应有用途标志;3从外表看,零部件完整,无松动,无裂缝,无明显残缺或污损。当倾斜或轻摇仪表时,内部无撞击声;4向左右两方向旋动机械调零器,指示器应转动灵活,左右对称;实时通讯接口:HSSL,AquadB和Sin / Cos。上海激光干涉仪深度测量
干涉仪分双光束干涉仪和多光束干涉仪两大类, 前者有瑞利干涉仪、迈克耳孙干涉仪及其变型泰曼干涉仪、马赫-秦特干涉仪等,后者有法布里-珀luo gan涉仪等。干涉仪的应用极为guang fan。长度测量在双光束干涉仪中,若介质折射率均匀且保持恒定,则干涉条纹的移动是由两相干光几何路程之差发生变化所造成,根据条纹的移动数可进行长度的精确比较或jue dui测量。迈克耳孙干涉仪和法布里-珀luo gan涉仪曾被用来以镉红谱线的波长表示国际米。折射率测定两光束的几何路程保持不变,介质折射率变化也可导致光程差的改变,从而引起条纹移动。瑞利干涉仪就是通过条纹移动来对折射率进行相对测量的典型干涉仪。应用于风洞的马赫-秦特干涉仪被用来对气流折射率的变化进行实时观察。上海激光干涉仪深度测量能够测量液体的表面运动,开启了在各科学和工业领域实现独特应用的可能性。
结构原理:普通电流互感器结构原理:电流互感器的结构较为简单,由相互绝缘的一次绕组、二次绕组、铁心以及构架、壳体、接线端子等组成。
其工作原理与变压器基本相同,一次绕组的匝数(N1)较少,直接串联于电源线路中,一次负荷电流(I1)通过一次绕组时,产生的交变磁通感应产生按比例减小的二次电流(I2);二次绕组的匝数(N2)较多,与仪表、继电器、变送器等电流线圈的二次负荷(Z)串联形成闭合回路,由于一次绕组与二次绕组有相等的安培匝数,I1N1=I2N2,电流互感器额定电流比电流互感器实际运行中负荷阻抗很小,二次绕组接近于短路状态,相当于一个短路运行的变压器。
(3)非接触测头以及各种扫描探针显微镜。航空航天行业对此已经提出迫切要求,这是今后坐标测量机发展的关键技术。目前接触式测头已完全被国外所垄断,非接触测头还没有发展成熟,我们有参与竞争的机遇。以前较多采用的激光三角法原理受到很多限制,难以有突破性进展,但可在原理创新上下功夫。应该突破0.1~0.5μm分辨率。(5)新器件,新材料。过去,科研评价体系存在偏重于整机和系统,忽视材料和器件的趋向。新的突破点可能出现在新光源、新型高频探测器。目前探测器的响应频率只有10的9次方,而光频高达10的14次方,目前干涉仪实际上是起着混频器的作用,适应探测器的不足(如果探测器的响应果真能超过光频,干涉仪也就没有用了)。如果探测器的性能得到显著提高,对于通讯也是很大的突破。其工作接近技术和物理的极限。
体型半导体应变片这种半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线,结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。体型半导体应变片可分为6种。①普通型:它适合于一般应力测量;②温度自动补偿型:它能使温度引起的导致应变电阻变化的各种因素自动抵消,只适用于特定的试件材料;③灵敏度补偿型:通过选择适当的衬底材料(例如不锈钢),并采用稳流电路,使温度引起的灵敏度变化极小;④高输出(高电阻)型:它的阻值很高(2~10千欧),可接成电桥以高电压供电而获得高输出电压,因而可不经放大而直接接入指示仪表。⑤超线性型:它在比较宽的应力范围内,呈现较宽的应变线性区域,适用于大应变范围的场合;⑥P-N组合温度补偿型:它选用配对的P型和N型两种转换元件作为电桥的相邻两臂,从而使温度特性和非线性特性有较大改善。 角度和迴转测量,检测轴承间隙。上海激光干涉仪深度测量
使用BiSS-C接口触发八个轴的位置检测。上海激光干涉仪深度测量
利用不同构形的弹性敏感元件可测量各种物体的应力、应变、压力、扭矩、加速度等机械量。半导体应变片与电阻应变片(见电阻应变片相比,具有灵敏系数高(约高 50~100倍)、机械滞后小、体积小、耗电少等优点。P型和N型硅的灵敏系数符号相反,适于接成电桥的相邻两臂测量同一应力。早期的半导体应变片采用机械加工、化学腐蚀等方法制成,称为体型半导体应变片。它的缺点是电阻和灵敏系数的温度系数大、非线性大和分散性大等。这曾限制了它的应用和发展。自70年代以来,随着半导体集成电路工艺的迅速发展,相继出现扩散型、外延型和薄膜型半导体应变片,上述缺点得到一定克服。半导体应变片主要应用于飞机、导弹、车辆、船舶、机床、桥梁等各种设备的机械量测量。上海激光干涉仪深度测量