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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

SmartView®NT自动键合对准系统,用于通用对准。全自动键合对准系统,采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准。用于通用对准的SmartViewNT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在岭先技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。SmartView技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用,以在随后的全自动平台上进行长久键合。特征:适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI®200和300mm配置)。用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠。烘烤/冷却模块-适用于GEMINI用于在涂布后和键合之前加工粘合剂层。实际价格键合机

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EVG®510晶圆键合机系统:用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容。特色:EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统,可以处理从碎片到200mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,例如阳极,玻璃粉,焊料,共晶,瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化,转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的键合室设计相同,键合程序易于转移,可轻松扩大生产规模。湖南键合机研发生产键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层,晶圆级封装,工程衬底智造,晶圆级3D集成和晶圆减薄等应用很实用的技术。

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晶圆级封装的实现可以带来许多经济利益。它允许晶圆制造,封装和测试的集成,从而简化制造过程。缩短的制造周期时间可提高生产量并降低每单位制造成本。晶圆级封装还可以减小封装尺寸,从而节省材料并进一步降低生产成本。然而,更重要的是,减小的封装尺寸允许组件用于更广范的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸,尤其是减小封装高度。岱美仪器提供的EVG的晶圆键合机,可以实现晶圆级封装的功能。

EVG®810LT技术数据晶圆直径(基板尺寸)50-200、100-300毫米LowTemp™等离子活化室工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)通用质量流量控制器:自校准(高达20.000sccm)真空系统:9x10-2mbar腔室的打开/关闭:自动化腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)可选功能:卡盘适用于不同的晶圆尺寸无金属离子活化混合气体的其他工艺气体带有涡轮泵的高真空系统:9x10-3mbar基本压力符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统Si:Si/Si,Si/Si(热氧化,Si(热氧化)/Si(热氧化)TEOS/TEOS(热氧化)绝缘体锗(GeOI)的Si/GeSi/Si3N4玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃化合物半导体:GaAs,GaP,InP聚合物:PMMA,环烯烃聚合物用户可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)EVG键合机键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠,用来执行随后的键合过程。

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EVG®850键合机 EVG®850键合机特征 生产系统可在高通量,高产量环境中运行 自动盒带间或FOUP到FOUP操作 无污染的背面处理 超音速和/或刷子清洁 机械平整或缺口对准的预键合 先进的远程诊断 技术数据 晶圆直径(基板尺寸) 100-200、150-300毫米 全自动盒带到盒带操作 预键合室 对准类型:平面到平面或凹口到凹口 对准精度:X和Y:±50µm,θ:±0.1° 结合力:蕞/高5N 键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活 真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件) 清洁站 清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选) 腔室:由PP或PFA制成(可选) 清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%浓度(可选) 旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成 旋转:蕞/高3000rpm(5s)晶圆键合机(系统)EVG®510 ,拥有150、200mm晶圆单腔系统 ;拥有EVG®501 键合机所有功能。广西官方授权经销键合机

EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的砖用卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。实际价格键合机

EVG®820层压系统 将任何类型的干胶膜(胶带)自动无应力层压到晶圆上 特色 技术数据 EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动,无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔,然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术,可以自由选择胶带的尺寸和尺寸,并且与基材无关。 特征 将任何类型的干胶膜自动,无应力和无空隙地层压到载体晶片上 在载体晶片上精确对准的层压 保护套剥离 干膜层压站可被集成到一个EVG®850TB临时键合系统 技术数据 晶圆直径(基板尺寸) 高达300毫米 组态 1个打孔单元 底侧保护衬套剥离 层压 选件 顶侧保护膜剥离 光学对准 加热层压实际价格键合机

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