广州光电激光干涉仪

半导体应变片:用于车辆等机械量测量的元件.半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件，又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时材料的电阻率发生变化的现象（见压阻式传感器）。半导体应变片需要粘贴在试件上测量试件应变或粘贴在弹性敏感元件上间接地感受被测外力。使用BiSS-C接口触发八个轴的位置检测。广州光电激光干涉仪

扩散型半导体应变片

这种应变片是将 P型杂质扩散到一个高电阻N型硅基底上，形成一层极薄的P型导电层，然后用超声波或热压焊法焊接引线而制成（图2）。它的优点是稳定性好，机械滞后和蠕变小，电阻温度系数也比一般体型半导体应变片小一个数量级。缺点是由于存在P-N结，当温度升高时，绝缘电阻大为下降。半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。新型固态压阻式传感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用扩散法制成的。 广州光电激光干涉仪3轴：测量不稳定的俯仰pitch和偏航运动yaw。

按一次绕组对地运行状态分

一次绕组接地的电压互感器：单相电压互感器一次绕组的末端或三相电压互感器一次绕组的中性点直接接地；一次绕组不接地的电压互感器：单相电压互感器一次绕组两端子对地都是绝缘的；三相电压互感器一次绕组的各部分，包括接线端子对地都是绝缘的，而且绝缘水平与额定绝缘水平一致。

按磁路结构分

单级式电压互感器：一次绕组和二次绕组（根据需要可设多个二次绕组同绕在一个铁芯上，铁芯为地电位。我国在及以下电压等级均用单级式；串级式电压互感器：一次绕组分成几个匝数相同的单元串接在相与地之间，每一单元有各自独自的铁芯，具有多个铁芯，且铁芯带有高电压，二次绕组（根据需要可设多个二次绕组处在较为末一个与地连接的单元。我国在电压等级常用此种结构型式；组合式互感器：由电压互感器和电流互感器组合并形成一体的互感器称为组合式互感器，也有把与组合电器配套生产的互感器称为组合式互感器。

穿心式电流互感器其本身结构不设一次绕组，载流（负荷电流）导线由L1至L2穿过由硅钢片擀卷制成的圆形（或其他形状）铁心起一次绕组作用。二次绕组直接均匀地缠绕在圆形铁心上，与仪表、继电器、变送器等电流线圈的二次负荷串联形成闭合回路，由于穿心式电流互感器不设一次绕组，其变比根据一次绕组穿过互感器铁心中的匝数确定，穿心匝数越多，变比越小；反之，穿心匝数越少，变比越大，额定电流比I1/n：式中I1——穿心一匝时一次额定电流；n——穿心匝数。晶圆表面测量可以在各种各样的目标上进行测量。

引力波测量干涉仪也可以用于引力波探测(Saulson,1994)。激光干涉仪引力波探测器的概念是前苏联科学家Gertsenshtein和Pustovoit在1962年提出的（Gertsenshtein和Pustovoit 1962。1969年美国科学家Weiss和Forward则分别在1969年即于麻省理工和休斯实验室建造初步的试验系统（Weiss 1972）。截止jin ri，激光干涉仪引力波探测器已经发展了40余年。目前LIGO激光干涉仪实验宣称shou ci直接测量到了引力波 (LIGO collaboration 2016)。LIGO可以认为是两路光线的干涉仪，而另外一类引力波探测实验， 脉冲星测时阵列则可认为是多路光线干涉仪（Hellings和Downs,1983）。100pm/步的线性偏移被确定。广州光电激光干涉仪

寄生（错误）运动将被确定。广州光电激光干涉仪

干涉仪技术参数：5D/6D标准型：1.线性：0.5ppm.2.测量范围：40米（1D可选80米）3.线性分辨力：0.001um.4.偏摆角和俯仰角的精度：（1.0+0.1/m）角秒或1%显示较大值5.比较大范围：800角秒6.滚动角精度：1.0角秒7.直线度精度：（1.0+0.2/m）um或1%显示较大值8.直线度比较大范围：500um9.垂直度精度：1角秒10.温度精度：0.2摄氏度11.湿度精度：5%12.压力精度：1mmHg

从激光器发出的光束，经扩束准直后由分光镜分为两路，并分别从固定反射镜和可动反射镜反射回来会合在分光镜上而产生干涉条纹。 广州光电激光干涉仪

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