扩散硅压力变送器基本参数
  • 品牌
  • 无锡华感
  • 精度等级
  • 1%
  • 仪表类型
  • 智能数显表
  • 公称直径
  • 10mm
  • 测压部件材质
  • 外壳防护等级
  • 型号
  • HG-BSQ03
  • 加工定制
  • 测量介质
  • 水压、气压、油压
  • 电源电压
  • 0-24
  • 防护等级
  • IP67
  • 产地
  • 无锡
  • 数量
  • 10000
  • 封装
  • 金属壳
  • 批号
  • 20220401
  • QQ
  • 1603105365
  • 接头螺纹
  • 1/4,3/8,M20
  • 测量范围
  • 0-4MP
  • 厂家
  • 华感科技
扩散硅压力变送器企业商机

    扩散硅压力传感器是利用压阻效应原理,采用集成工艺技术经过掺杂、扩散,沿单晶硅片上的特点晶向,制成应变电阻,构成惠斯凳电桥。利用硅材料的弹性力学特性,在同一切硅材料上进行各向异性微加工,就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。扩散硅压力传感器的压力直接作用于传感器的膜片上(不锈钢或陶瓷),使膜片产生与介质压力成正比的微位移,传感器的电阻值发生变化,用电子线路检测这一变化,并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。

   压力变送器主要特点抗过载和抗冲击能力强,过压可达量程的数倍,甚至用硬物直接敲打测量元件也不致使其损坏,且对测量精度毫无影响;稳定性高,每年优化,这个技术指标已达到智能型压力仪表水平;温度漂移小,由于取消了压力测量元件中的中介液,因而传感器不仅获得了很高的测量精度,且受温度梯度影响极小;压力变送器适用性广、安装维护方便、可任意位置安装。 江苏气压传感器哪家强?欢迎咨询无锡华感科技有限公司。上海智能扩散硅压力变送器规程

    扩散硅压力传感器是指利用单晶硅材料的扩散硅效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后,电阻率发生变化,通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。它又称为扩散硅扩散硅压力传感器,它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力,而是直接通过硅膜片感受被测压力的。扩散硅压力传感器主要基于扩散硅效应(Piezoresistiveeffect)。扩散硅效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于压电效应,扩散硅效应只产生阻抗变化,并不会产生电荷。大多数金属材料与半导体材料都被发现具有扩散硅效应。其中半导体材料中的扩散硅效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要原料,以硅制作而成的扩散硅性元件的应用就变得非常有意义。硅的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变,而且也来自材料本身与应力相关的电阻,这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布,进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effectivemass)的变化。在P型硅中,此现象变得更复杂。 天津防爆型扩散硅压力变送器价格水压变送器批发厂家,欢迎咨询无锡华感科技有限公司。

    扩散硅压力变送器是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的变送器。单晶硅材料在受到力的作用后,电阻率发生变化,通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。它又称为扩散硅压阻压力变送器,它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力,而是直接通过硅膜片感受被测压力的。压阻压力变送器主要基于压阻效应(Piezoresistiveeffect)。压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于压电效应,压阻效应只产生阻抗变化,并不会产生电荷。大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要原料,以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。硅的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变,而且也来自材料本身与应力相关的电阻,这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布,进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effectivemass)的变化。在P型硅中,此现象变得更复杂,而且也导致等效质量改变及电洞转换。

    工作原理

扩散硅压力变送器通过压力传感器把压力信号变为电信号,再由前置放大器把此电信号放大滤波,送往CPU的A/D转换模块进行模拟量到数字量的变换,***由CPU进行数据处理并显示及PWM输出。原理框图如下:被侧介质---〉传感器---〉电子线路---〉输出信号被测介质的压力直接作用于传感器的陶瓷/扩散硅膜片/上,使膜片产生与介质压力成正比的微小位移,正常工作状态下,膜片比较大位移不大于,电子线路检测这一位移量后,即把这一位移量转换成对应于这一压力的标准工业测量信号。超压时膜片直接贴到扩散硅上,由于膜片与基体的间隙只有,因此过压时膜片的比较大位移只能是,所以从结构上保证了膜片不会产生过大变形,该传感器具有很好的稳定性和高可靠性。 扩散硅压力变送器批发哪家好?欢迎咨询无锡华感科技有限公司。

    作为扩散硅压力变送器的重要组件,传感器有着三个重要指标,能够决定一台压力变送器能否在出色完成测量任务,它们就是:压力迟滞、压力重复性、稳定性。每台变送器出厂时都要进行检测调整,使其达到规定标准,而有的性能在传感器出厂时就必须优化完毕,压力迟滞就是其中一项。压力迟滞是什么?在压力变送器标定的过程中,通过隔离膜片和引压管来感知所受压力,虽然会统一输入量,但是压力变送器在实际使用工况中压力加载和卸载的方向及其大小不同,会导致压力变送器电信号输出的大小不同,这正反行程中输入-输出的特性曲线的不重合度,就是所谓的压力迟滞。压力变送器的压力迟滞影响压力迟滞性因素?首先我们来了解一下扩散硅压力传感器的零件组成!扩散硅压力传感传感器是由扩散硅压力芯片、金属基座、陶瓷绝缘罩、硅油、金属隔离膜片,当压力作用于压力传感器时,膜片、芯片等材料会发生不同程度的形变,当撤去压力时,形变会随之消失。但是能否恢复至原始状态,取决于材料自身的特性,以及它的加工方式、环境等因素,因此即使是同一压力点输入,正反行程中也会出现输出不重合的现象。如何计算压力迟滞?迟滞误差的大小一般由实验方法确定。 压力变送器工厂,欢迎咨询无锡华感科技有限公司。山西高精度扩散硅压力变送器厂家

扩散硅压力变送器公司哪家好?欢迎咨询无锡华感科技有限公司。上海智能扩散硅压力变送器规程

    扩散硅压力传感器产品特点:适合制作小量程的变送器硅芯片的这种力敏电阻的压阻效应在零点附近的低量程段无死区,制作压力传感器的量程可小到几个Kpa。输出灵敏度高硅应变电阻的灵敏因子比金属应变计高50~100倍,故相应的传感器的灵敏度就很高,一般量程输出为100mv左右。因此对接口电路无特殊要求,使用比较方便。精度高由于传感器的感受、敏感转换和检测三部分由同一个元件实现,没有中间转换环节,重复性和迟滞误差较小。由于单晶硅本身刚度很大,变形很小,保证了良好的线性。由于工作单性形变低至微应变数量级,弹性芯片比较大位移在亚微米数量级,因而无磨损,无疲劳,无老化,寿命长达1×103压力循环,性能稳定,可靠性高。由于硅的优良化学防腐性能,即使是非隔离型的扩散硅压力传感器,也有相当程度的适应各种介质的能力。6、由于芯片采用集成工艺,又无传动部件,因此体积小,重量轻。 上海智能扩散硅压力变送器规程

无锡华感科技有限公司是国内一家多年来专注从事压力变送器,压力芯体,压力传感器芯片,真空压力控制器的老牌企业。公司位于芙蓉中三路99号瑞云四座601、603室,成立于2019-09-23。公司的产品营销网络遍布国内各大市场。公司主要经营压力变送器,压力芯体,压力传感器芯片,真空压力控制器等产品,我们依托高素质的技术人员和销售队伍,本着诚信经营、理解客户需求为经营原则,公司通过良好的信誉和周到的售前、售后服务,赢得用户的信赖和支持。无锡华感严格按照行业标准进行生产研发,产品在按照行业标准测试完成后,通过质检部门检测后推出。我们通过全新的管理模式和周到的服务,用心服务于客户。无锡华感科技有限公司依托多年来完善的服务经验、良好的服务队伍、完善的服务网络和强大的合作伙伴,目前已经得到仪器仪表行业内客户认可和支持,并赢得长期合作伙伴的信赖。

与扩散硅压力变送器相关的文章
与扩散硅压力变送器相关的产品
与扩散硅压力变送器相关的资讯
与扩散硅压力变送器相关的**
与扩散硅压力变送器相关的标签
产品推荐
相关资讯
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责