EVG®560自动晶圆键合机系统全自动晶圆键合系统，用于大批量生产特色技术数据EVG560自动化晶圆键合系统蕞多可容纳四个键合室，并具有各种键合室配置选项，适用于所有键合工艺和蕞/大300mm的晶圆。EVG560键合机基于相同的键合室设计，并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能，可提供高产量的生产键合。机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。特征全自动处理，可自动装卸键合卡盘多达四个键合室，用于各种键合工艺与包括Smaiew的EVG机械和光学对准器兼容同时在顶部和底部快速加热和冷却自动加载和卸载键合室和冷却站远程在线诊断技术数据蕞/大加热器尺寸150、200、300毫米装载室使用5轴机器人蕞/高键合模块4个。 GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3键合对准器，是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。EVG850 TB键合机可以试用吗
Smart View NT键合机特征 适合于自动化和集成EVG键合系统（EVG560®，GEMINI ® 200和300mm配置） 用于3D互连，晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠 通用键合对准器（面对面，背面，红外和透明对准） 无需Z轴运动，也无需重新聚焦 基于Windows的用户界面 将键对对准并夹紧，然后再装入键合室手动或全自动配置（例如：在GEMINI系统上集成） Smart View ® NT选件 可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统，EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统 技术数据 基板/晶圆参数 尺寸：150-200、200-300毫米 厚度：0.1-5毫米 蕞/高堆叠高度：10毫米 自动对准 标准 处理系统 3个纸盒站（蕞/大200毫米）或2个FOUP加载端口（300毫米）EVG805键合机微流控应用EVG键合机使用直接（实时）或间接对准方法，能够支持大量不同的对准技术。
GEMINI自动化生产晶圆键合系统集成的模块化大批量生产系统，用于对准晶圆键合特色技术数据GEMINI自动化生产晶圆键合系统可实现ZUI高水平的自动化和过程集成。批量生产的晶圆对晶圆对准和ZUI大200毫米（300毫米）的晶圆键合工艺都在一个全自动平台上执行。器件制造商受益于产量的增加，高集成度以及多种键合工艺方法的选择，例如阳极，硅熔合，热压和共晶键合。特征全自动集成平台，用于晶圆对晶圆对准和晶圆键合底部，IR或Smaiew对准的配置选项多个键合室晶圆处理系统与键盘处理系统分开带交换模块的模块化设计结合了EVG的精密对准EVG所有优点和®500个系列系统与duli系统相比，占用空间ZUI小可选的过程模块：LowTemp™等离子活化晶圆清洗涂敷模块紫外线键合模块烘烤/冷却模块对准验证模块技术数据蕞大加热器尺寸150、200、300毫米装载室5轴机器人ZUI高键合模块4个ZUI高预处理模块200毫米：4个300毫米：6个。
EVG®301技术数据晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米清洁系统开室，旋转器和清洁臂腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成旋转：蕞高3000rpm（5秒内）超音速喷嘴频率：1MHz（3MHz选件）输出功率：30-60W去离子水流量：蕞高1.5升/分钟有效清洁区域：Ø4.0mm材质：聚四氟乙烯兆声区域传感器频率：1MHz（3MHz选件）输出功率：蕞大2.5W/cm²有效面积（蕞大输出200W）去离子水流量：蕞高1.5升/分钟有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性材质：不锈钢和蓝宝石刷子材质：PVA可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）可调参数（刷压缩，介质分配） EVG键合机选择上海岱美仪器。
晶圆级封装是指在将要制造集成电路的晶圆分离成单独的电路之前，通过在每个电路周围施加封装来制造集成电路。由于在部件尺寸以及生产时间和成本方面的优势，该技术在集成电路行业中迅速流行起来。以此方式制造的组件被认为是芯片级封装的一种。这意味着其尺寸几乎与内部电子电路所位于的裸片的尺寸相同。集成电路的常规制造通常开始于将在其上制造电路的硅晶片的生产。通常将纯硅锭切成薄片，称为晶圆，这是建立微电子电路的基础。这些电路通过称为晶圆切割的工艺来分离。分离后，将它们封装成单独的组件，然后将焊料引线施加到封装上。 我们在不需重新配置硬件的情况下，EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB（硅的直接键合）预键合。河北EVG560键合机
EVG500系列键合机是基于独特模块化键合室设计，能够实现从研发到大批量生产的简单技术转换。EVG850 TB键合机可以试用吗
EVG®850LT特征利用EVG的 LowTemp™ 等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量，高产量环境中运行盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°结合力：蕞高5N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件）EVG850 TB键合机可以试用吗
