成都小型试验箱

本篇介绍专业全自动HMDS真空烤箱，首先简单介绍一下HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS（六甲基二硅氮烷）可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。合肥真萍告诉您如何正确使用试验箱？成都小型试验箱

超高真空烘箱广泛应用于航空、航天、电子、通讯等科研及生产单位。确定仪器仪表、电工产品、材料、零部件、设备等在低气压、高温单项或同时作用下的环境适应性与可靠性试验。下面为大家介绍一下超高真空烘箱的主要技术指标。1.工作室温度范围：常温～+300℃用户使用温度260℃2.温度波动度：1.0℃（空载）；3.温度偏差：常压温度试验：常温～200℃时2℃200～300℃时5.0℃低气压高温综合试验:≤100℃时2.0℃，100℃～200℃时5.0℃200℃～300℃时7.0℃陕西高低温试验箱试验箱的功能具体介绍。

下面为大家介绍一下真萍科技无氧干燥箱。一、技术指标与基本配置：1.使用温度：RT～260℃，极限温度：300℃；2.炉膛腔数:2个,上下布置；3.炉膛材料：SUS304镜面不锈钢；加热元件：不锈钢加热器；热偶：K分度4.温度和氧含量记录:无纸记录仪；二、氧含量（配氧分析仪）：1.高温状态氧含量：≤10ppm+气源氧含量;低温状态氧含量：≤20ppm+气源氧含量2.控温稳定度：±1℃；2.3温度均匀度：±2%℃（260℃平台）；无氧干燥箱应用于航空、航天、石油、化工、、船舶、电子、通讯等科研及生产单位，主要作BPO胶/PI胶/BCB胶固化，模压固烤、IC（晶圆、CMOS、Bumping、TSV、MENS、指纹识别）、FPD、高精密电子元件、电子陶瓷材料无尘烘干，电工产品、材料、零备件等的高温洁净和无氧环境中干燥和老化试验。

中温气氛箱式炉主要用于磷酸铁锂正极材料等类似产品的高温烧结、热处理。下面为大家介绍一下中温气氛箱式炉的系统配置：一、冷却系统1.冷却结构无2.产品降温随炉降温3.安全保护4.报警指示超温、断偶、停水、停气等声光报警保护5.设备安全升温速率≤5℃/min二、温度控制系统1.温度测量采用K分度热偶测量2.控制仪表采用进口智能调节仪控制。具有PID参数自整定、高温上限报警、热电偶失效指示等多项报警保护功能4.控制方式固态继电器过零控制5.超温处理⑴.当测量温度超过设定的安全值时，断加热，并报警。⑵.当测量温度超过目标温度达到安全偏差值时，报警。试验箱使用时要考虑什么问题？

真萍科技作为冷热冲击试验箱设备制造厂商，在冷热冲击试验箱设备制造领域的专业性是不用多说的。下面让真萍科技从温度方面，带您了解冷热冲击试验箱。一、温度均匀度旧标准称均匀度，新标准称梯度。温度稳定后，在任意时间间隔内，工作空间内任意两点的温度平均值之差的较大值。这个指标比下面的温度偏差指标更可以考核产品的**技术，因此好多公司的样本及方案刻意隐藏此项。一般标准要求指标为≤2℃。二、温度偏差温度稳定后，在任意时间间隔内，工作空间中心温度的平均值和工作空间内其它点的温度平均值之差。虽然新旧标准对此指标的定义和称呼相同，但检测已有所改变，新标准更实际，更苛刻一点，但考核时间短点。一般标准要求指标为±2℃，纯高温试验箱200℃以上可按实际使用温度摄氏度(℃)±2%要求。试验箱的重要组成部分有哪些？成都小型试验箱

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中温气氛箱式炉主要用于磷酸铁锂正极材料等类似产品的高温烧结、热处理，下面为大家介绍一下中温气氛箱式炉的系统配置。一、热工系统1.额定温度800℃2.较高温度850℃3.加热元件陶瓷外丝加热管4.加热功率18kw5.空炉保温功率约9kw6.温区个数1个7.控温点数2点8.热偶K分度9.控温稳定度1℃(恒温平台)10.炉膛温度均匀度6℃（恒温800℃,1h）二、气氛系统1.炉膛气氛2路氮气，流量计量程为2～20L/min；每路流量可调节2.排气系统在炉膛顶部设置一个排气囱，用于废气排放，废气3.经过水封清洗后进入大气中，减少对环境污染4.氧含量配氧含量分析仪分析氧含量：5.高温状态氧含量≤10ppm+气源氧含量6.低温状态氧含量≤50ppm+气源氧含量成都小型试验箱