皮米精度激光干涉仪共焦技术

1、一次线圈串联在电路中，并且匝数很少，因此，一次线圈中的电流完全取决于被测电路的负荷电流．而与二次电流无关；2、电流互感器二次线圈所接仪表和继电器的电流线圈阻抗都很小，所以正常情况下，电流互感器在近于短路状态下运行。电流互感器一、二次额定电流之比，称为电流互感器的额定互感比：kn=I1n/I2n因为一次线圈额定电流I1n己标准化，二次线圈额定电流I2n统一为5（1或0.5）安，所以电流互感器额定互感比亦已标准化。kn还可以近似地表示为互感器一、二次线圈的匝数比，即kn≈kN=N1/N2式中N1.N2为一、二线圈的匝数。样品和细胞的扩张/收缩 长度相对变化（ΔL）。皮米精度激光干涉仪共焦技术

扩散型半导体应变片这种应变片是将P型杂质扩散到一个高电阻N型硅基底上，形成一层极薄的P型导电层，然后用超声波或热压焊法焊接引线而制成（图2）。它的优点是稳定性好，机械滞后和蠕变小，电阻温度系数也比一般体型半导体应变片小一个数量级。缺点是由于存在P-N结，当温度升高时，绝缘电阻大为下降。半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。是一种利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件。新型固态压阻式传感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用扩散法制成的。平台校准激光干涉仪形貌测量坐标测量机轴位置捕获!

按一次绕组对地运行状态分一次绕组接地的电压互感器：单相电压互感器一次绕组的末端或三相电压互感器一次绕组的中性点直接接地；一次绕组不接地的电压互感器：单相电压互感器一次绕组两端子对地都是绝缘的；三相电压互感器一次绕组的各部分， 包括接线端子对地都是绝缘的，而且绝缘水平与额定绝缘水平一致。按磁路结构分单级式电压互感器：一次绕组和二次绕组（根据需要可设多个二次绕组同绕在一个铁芯上，铁芯为地电位。我国在及以下电压等级均用单级式；串级式电压互感器：一次绕组分成几个匝数相同的单元串接在相与地之间，每一单元有各自独自的铁芯，具有多个铁芯，且铁芯带有高电压，二次绕组（根据需要可设多个二次绕组处在较为末一个与地连接的单元。我国在电压等级常用此种结构型式；组合式互感器：由电压互感器和电流互感器组合并形成一体的互感器称为组合式互感器，也有把与组合电器配套生产的互感器称为组合式互感器。 

体型半导体应变片这种半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。体型半导体应变片可分为6种。

①普通型：它适合于一般应力测量；

②温度自动补偿型：它能使温度引起的导致应变电阻变化的各种因素自动抵消，只适用于特定的试件材料；

③灵敏度补偿型：通过选择适当的衬底材料（例如不锈钢），并采用稳流电路，使温度引起的灵敏度变化极小；

④高输出（高电阻）型：它的阻值很高（2～10千欧）,可接成电桥以高电压供电而获得高输出电压，因而可不经放大而直接接入指示仪表。

⑤超线性型：它在比较宽的应力范围内，呈现较宽的应变线性区域，适用于大应变范围的场合；

⑥P-N组合温度补偿型：它选用配对的P型和N型两种转换元件作为电桥的相邻两臂，从而使温度特性和非线性特性有较大改善。   在环境条件下悬臂的共振频率，不施加压电致动器的任何振荡！

体型半导体应变片这种半导体应变片是将单晶硅锭切片、研磨、腐蚀压焊引线，结尾粘贴在锌酚醛树脂或聚酰亚胺的衬底上制成的。体型半导体应变片可分为6种。①普通型：它适合于一般应力测量；②温度自动补偿型：它能使温度引起的导致应变电阻变化的各种因素自动抵消，只适用于特定的试件材料；③灵敏度补偿型：通过选择适当的衬底材料（例如不锈钢），并采用稳流电路，使温度引起的灵敏度变化极小；④高输出（高电阻）型：它的阻值很高（2～10千欧）,可接成电桥以高电压供电而获得高输出电压，因而可不经放大而直接接入指示仪表。⑤超线性型：它在比较宽的应力范围内，呈现较宽的应变线性区域，适用于大应变范围的场合；⑥P-N组合温度补偿型：它选用配对的P型和N型两种转换元件作为电桥的相邻两臂，从而使温度特性和非线性特性有较大改善。 超精密和非接触式表面分析。皮米精度激光干涉仪共焦技术

轴的直径为10毫米，以每分钟2160转（RPM）旋转。皮米精度激光干涉仪共焦技术

不同变比电流互感器。这种型号的电流互感器具有同一个铁心和一次绕组，而二次绕组则分为两个匝数不同、各自独自的绕组，以满足同一负荷电流情况下不同变比、不同准确度等级的需要，例如在同一负荷情况下，为了保证电能计量准确，要求变比较小一些（以满足负荷电流在一次额定值的2/3左右），准确度等级高一些（如1K1.1K2为200/5.0.2级）；而用电设备的继电保护，考虑到故障电流的保护系数较大，则要求变比较大一些，准确度等级可以稍低一点（如2K1.2K2为300/5.1级）。皮米精度激光干涉仪共焦技术