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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

EVG也提供量产型掩模对准系统。对于在微米范围内的光刻图形,掩模对准器是ZUI具成本效益的技术,与其他解决方案相比,每层可节省30%以上的成本,这对用户来说是至关重要的。EVG的大批量制造系统旨在以ZUI佳的成本效率与ZUI高的技术标准相结合,并由卓YUE的全球服务基础设施提供支持。ZUI重要的是,大焦深曝光光学系统完美匹配大批量生产中的厚抗蚀剂,表面形貌和非平面基片的图形。在全球范围内,我们为许多客户提供了量产型的光刻机系统,得到了他们的无数好评。EVG101光刻胶处理机可支持蕞大300 mm的晶圆。EVG6200 NT光刻机技术支持

EVG6200 NT光刻机技术支持,光刻机

EVG120光刻胶自动处理系统附加模块选项预对准:光学/机械ID读取器:条形码,字母数字,数据矩阵系统控制:操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数/离线程序编辑器灵活的流程定义/易于拖放的程序编程并行处理多个作业/实时远程访问,诊断和故障排除多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR分配选项:各种光刻胶分配泵,可覆盖高达52000cP的粘度液体底漆/预湿/洗盘去除边缘珠(EBR)/背面冲洗(BSR)恒压分配系统/注射器分配系统电阻分配泵具有流量监控功能可编程分配速率/可编程体积/可编程回吸超音波安徽光刻机联系电话EVG的CoverSpin TM旋转盖可降低光刻胶消耗,并提高光刻胶涂层的均匀性。

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EVG®150--光刻胶自动处理系统

EVG®150是全自动化光刻胶处理系统中提供高吞吐量的性能与在直径承晶片高达300毫米。EVG150设计为完全模块化的平台,可实现自动喷涂/旋转/显影过程和高通量性能。EVG150可确保涂层高度均匀并提高重复性。具有高形貌的晶片可以通过EVG的OmniSpray技术进行均匀涂覆,而传统的旋涂技术则受到限制。EVG®150特征:晶圆尺寸可达300毫米多达六个过程模块可自定义的数量-多达二十个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载

HERCULES光刻轨道系统特征:生产平台以蕞小的占地面积结合了EVG精密对准和光刻胶处理系统的所有优势;多功能平台支持各种形状,尺寸,高度变形的模具晶片甚至托盘的全自动处理;高达52,000cP的涂层可制造高度高达300微米的超厚光刻胶特征;CoverSpinTM旋转盖可降低光刻胶消耗并优化光刻胶涂层的均匀性;OmniSpray®涂覆用于高地形表面的优化的涂层;纳流®涂布,并通过结构的保护;自动面膜处理和存储;光学边缘曝光和/或溶剂清洁以去除边缘颗粒;使用桥接工具系统对多种尺寸的晶圆进行易碎,薄或翘曲的晶圆处理;返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统;多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)。EVG100系列光刻胶处理系统为光刻胶涂层和显影建立了质量和灵活性方面的新的标准。

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EVG620NT技术数据:曝光源:汞光源/紫外线LED光源先进的对准功能:手动对准/原位对准验证自动对准动态对准/自动边缘对准对准偏移校正算法EVG620NT产量:全自动:弟一批生产量:每小时180片全自动:吞吐量对准:每小时140片晶圆晶圆直径(基板尺寸):高达150毫米对准方式:上侧对准:≤±0.5µm底侧对准:≤±1,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基材键对准:≤±2,0µmNIL对准:≤±3.0µm曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿:全自动软件控制曝光选项:间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制:操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理纳米压印光刻技术:SmartNIL®在全球范围内,我们为许多用户提供了量产型的光刻机系统,并得到了他们的无数好评。EVG6200 NT光刻机技术支持

IQ Aligner NT 光刻机系统使用零辅助桥接工具-双基片,支持200mm和300mm尺寸的晶圆。EVG6200 NT光刻机技术支持

EVG®105—晶圆烘烤模块设计理念:单机EVG®105烘烤模块是专为软或后曝光烘烤过程而设计。特点:可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤过程。受控的烘烤环境可确保均匀蒸发。可编程的接近销可提供对光刻胶硬化过程和温度曲线的蕞佳控制。EVG105烘烤模块可以同时处理300mm的晶圆尺寸或4个100mm的晶圆。特征独力烘烤模块晶片尺寸蕞大为300毫米,或同时蕞多四个100毫米晶片温度均匀性≤±1°C@100°C,蕞高250°C烘烤温度用于手动和安全地装载/卸载晶片的装载销烘烤定时器基材真空(直接接触烘烤)N2吹扫和近程烘烤0-1mm距离晶片至加热板可选不规则形状的基材技术数据晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米烤盘:温度范围:≤250°C手动将升降杆调整到所需的接近间隙。EVG6200 NT光刻机技术支持

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