闪烁体单次激发后，发射光子的速率下降到初始值的1/e所需的时间为τ（e=2.718…），λ=1/τ称为闪烁衰减常数。对于有机闪烁体τ=10-8至10-9s，无机闪烁体τ=10-5至10-7s，一般认为闪烁体的闪烁衰减用**函数来描述，对于有两个以上衰减成分组成的闪烁体，常给出平均衰减时间。闪烁衰减不仅与闪烁体种类有关，还与***剂、闪烁物质、移波剂的性质与含量、激发闪烁的方式（辐射种类）及闪烁体的温度有关。闪烁体受单次激发后，其光子发射率由比较大值10%上升到90%所需的时间，称为闪烁上升时间，而其光子发射率由比较大值的90%下降到10%所需的时间，称为闪烁下降时间。发光型探测器有闪烁体探测器、热释光探测器以及火花室、流光室等。吉林长杆测量仪a/b表面污染仪
对于个人受到正常照射以及受到潜在照射危险加以限制。对这一条应注意以下要点：1个人可能受到来自多项获准实践的综合照射，所谓“限制”是指对个人所受的来自所有有关获准实践的综合照射的限制，以保证个人不会受到不可接受的健康危险。2剂量限制是对个人所受的正常照射的限制，其目的是保证各项有关获准实践所致的个人总有效剂量和qiguan或zuzhi的总当量剂量不超过《基本标准》所规定的相应剂量限值。3危险限制是对个人所受的潜在照射的限制，其目的是保证各项有关获准实践所致的个人总潜在照射的危险限值。4根据ICRP第64号出版物的建议，本标准规定危险值应与正常照射剂量限值所相应的健康危险处于同一数量级水平。吉林长杆测量仪a/b表面污染仪P型同轴高纯锗探测器是由P型HPGe单晶制成。
辐射shigu是指放射性同位素和射线装置在生产、使用、运输、处置等过程中，由于管理失误或操作不当等原因，发生的人员超剂量照射、放射源丢失、被盗、失控及其引起的放射性污染shigu，导致工作人员、公众人员受到意外的、非自愿的异常照射。为加强辐射shigu的管理，及时有效地处理辐射shigu，减轻shigu造成的不良后果，辐射shigu的管理实行“分级管理与报告、立案调查制度” 辐射shigu的分级及放射源的分类，放射源主要分为五个类别，即I类至V类源。
带电粒子或γ射线入射到闪烁体内，使闪烁体内的原子（分子）电离、激发，在退激过程中发光，人们通常称之为荧光。从1903年利用荧光现象观察由放射性引起的闪光现象算起，闪烁探测器的出现至今已有近百年的历史。在早期的核物理实验中，人们曾通过显微镜用肉眼直接观察α粒子击中在荧光板上发射的荧光，20世纪40年代采用光电倍增管来探测荧光，利用光电效应由荧光产生的电子，经过放大成为电脉冲信号用记录核辐射信息。为适应不同领域应用的要求，经过几十年的发展改进，***的闪烁体探测器已是各种类型的闪烁体与多种光探测器件的组合。可探测带电粒子或中性粒子（如中子），可满足快时间响应、高探测效率、大面积灵敏度高、能量分辨率高和位置分辨率好等不同的物理要求。经过不断发展它已成为目前应用*****的核辐射探测器之一。X射线正比计数管是一种带有能透过X射线入射窗的正比计数管。
β和γ射线束通过吸收体后被减弱的程度可用下式表示:式中I0、I分别为射线束通过吸收体前后的强度值,ρ和d为吸收体的密度和厚度值,μm为吸收体对该射线束的质量吸收系数。测得射线束强度变化，即可由上式确定吸收体的厚度或密度。其应用有透射式同位素密度计、厚度计和料位计等。射线可使感光胶片感光，根据透过吸收体的射线使感光胶片的感光情况显示，可以进行射线照相探伤。散射β射线、γ射线与物质相互作用会产生散射，其散射角甚至可大于90°，散射的程度与散射体的厚度、密度及原子序数有关。根据这一效应建立的反散射测量仪，可用于测定材料的厚度和密度，特别适用于涂层厚度的测量。快中子与轻元素碰撞，能量迅速降低，待分析材料中如含氢丰富，中子慢化程度就高。根据此原理建立了中子测水分和中子测井(石油)技术。活化低能β粒子与适当的磷光体作用可以发光，根据这种效应已经制成了氚发光粉和氚灯。低能光子可以激发元素发射特征X射线,利用配有同位素低能光子源的X射线荧光分析仪可进行元素分析。放射性核素发射的α粒子和高能γ射线，可诱发轻元素原子核发生(α,n)、(γ,n)核反应。利用这些核反应制成的中子源可用于元素的中子活化分析。有机闪烁体一种由有机物组成的闪烁体。吉林长杆测量仪a/b表面污染仪
BGO闪烁体是一种无色透明的纯锗酸铋本征晶体构成的无机闪烁体。吉林长杆测量仪a/b表面污染仪
盖革Geiger和弥勒Muller发明的一种计数管简称G-M计数管，其特点是结构简单，易于制造，价格便宜，易于操作，输出脉冲幅度大，对电子学线路要求简单，是放射性同位素应用和测量剂量工作中常用的核辐射探测器，缺点是死时间长，因此它不能用于高计数率的场合。
1 工作原理，利用气体放**量地增加收集电荷，它工作在IV区（G-M区），G-M管内的电场比正比计数管内的要高得多，在适当的条件下除电离电子增殖产生的雪崩外，还有光子引起的光电子产生新的雪崩。 吉林长杆测量仪a/b表面污染仪
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