异质结电池工艺 1.清洗制绒。通过腐蚀去除表面损伤层，并且在表面进行制绒，以形成绒面结构达到陷光效果，减少反射损失；2.正面/背面非晶硅薄膜沉积。通过CVD方式在正面/背面分别沉积5~10nm的本征a-Si:H，作为钝化层，然后再沉积掺杂层；3.正面/背面TCO沉积。通过PVD在钝化层上面进行TCO薄膜沉积；4.栅线电极。通过丝网印刷进行栅线电极制作；5.烘烤(退火)。通过丝网印刷进行正面栅线电极制作，然后通过低温烧结形成良好的接触；6.光注入。7.电池测试及分选。光伏异质结电池PVD设备连续完成正背面TCO镀膜，产能高。0bb异质结设备
光伏异质结是一种利用半导体材料的光电效应将太阳能转化为电能的技术。其效率是指将太阳能转化为电能的比例，通常用百分比表示。光伏异质结的效率受到多种因素的影响，包括材料的选择、结构设计、光谱响应、温度等。目前，光伏异质结的效率已经达到了较高水平。单晶硅太阳能电池的效率可以达到22%左右，而多晶硅太阳能电池的效率则在18%左右。此外，还有一些新型材料的光伏异质结，如钙钛矿太阳能电池、有机太阳能电池等，其效率也在不断提高，已经达到了20%以上。虽然光伏异质结的效率已经很高，但仍有提高的空间。未来，随着新材料、新技术的不断涌现，光伏异质结的效率有望进一步提高，从而更好地满足人们对清洁能源的需求。河南N型异质结薄膜光伏异质结的制造过程中，可以通过调整薄膜厚度和材料组成来优化性能和成本。
光伏异质结是一种利用半导体材料的光电效应将光能转化为电能的技术。其原理是基于半导体材料的能带结构和PN结的特性。半导体材料的能带结构是指在晶体中，电子的能量分布情况。在半导体中，有一个价带和一个导带，两者之间存在一个能隙。当光子能量大于等于这个能隙时，光子就可以激发价带中的电子跃迁到导带中，形成自由电子和空穴。这个过程就是光电效应。PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结构。在PN结中，P型半导体中的空穴和N型半导体中的自由电子会在结界面处发生复合，形成电子-空穴对。这个过程会产生电势差，形成电场，使得电子和空穴在结界面处被分离，形成电势差。光伏异质结就是将半导体材料的能带结构和PN结的特性结合起来，形成一个异质结。在光伏异质结中，P型半导体和N型半导体的结界面处形成了一个电势差，使得光子激发的电子和空穴被分离，形成电势差。这个电势差可以被收集，形成电流，从而将光能转化为电能。总之，光伏异质结的原理是基于半导体材料的能带结构和PN结的特性，利用光子激发电子和空穴的光电效应，形成电势差，将光能转化为电能。
异质结电池生产设备，本征非晶硅薄膜沉积（i-a-Si:H）i-a-Si:H/c-Si界面处存在复合活性高的异质界面，是由于界面处非晶硅薄膜中的缺陷和界面上的悬挂键会成为复合中心，因此需要进行化学钝化；化学钝化主要由氢钝化非晶硅薄膜钝化层来完成，将非晶硅薄膜中的缺陷和界面悬挂键饱和来减少复合性缺陷态密度。掺杂非晶硅薄膜沉积场钝化主要在电池背面沉积同型掺杂非晶硅薄层形成背电场，可以削弱界面的复合，达到减少载流子复合和获取更多光生载流子的目的；掺杂非晶硅薄膜一般采用与沉积本征非晶硅膜层相似的等离子体系统来完成；p型掺杂常用的掺杂源为硼烷(B2H6)混氢,或者三甲基硼(TMB)；n型掺杂则用磷烷混氢（PH3)。优越的表面钝化能力是获得较高电池效率的重要条件，利用非晶硅优异的钝化效果，可将硅片的少子寿命大幅度提升。釜川提供高效异质结电池整线设备湿法制绒设备、PVD、PECVD、电镀铜设备等。
HJT电池所有制程的加工温度均低于250，避免了生产效率低而成本高的高温扩散制结的过程，而且低温工艺使得a-Si薄膜的光学带隙、沉积速率、吸收系数以及氢含量得到较精确的控制，也可避免因高温导致的热应力等不良影响。HJT电池转换效率高，拓展潜力大，工艺简单并且降本路线清晰，契合了光伏产业发展的规律，是有潜力的下一代电池技术。HJT电池为对称的双面结构，主要由 N 型单晶硅片衬底、正面和背面的本征/掺杂非晶硅薄膜层、双面的透明导电氧化薄膜(TCO) 层和金属电极构成。其中，本征非晶硅层起到表面钝化作用，P型掺杂非晶硅层为发射层，N 型掺杂非晶硅层起到背场作用。零界高效异质结电池整线解决方案叠加了双面微晶、无银或低银金属化工艺，明显提升了太阳能电池的转换效率。北京双面微晶异质结设备供应商
异质结电池主工艺之一：PVD设备。0bb异质结设备
高效异质结电池整线解决方案，TCO的作用：在形成a-Si:H/c-Si异质结后，电池被用一个~80纳米的透明导电氧化物接触。~80纳米薄的透明导电氧化物（TCO）层和前面的金属网格。透明导电氧化物通常是掺有Sn的InO（ITO）或掺有Al的ZnO。通常，TCO也被用来在电池的背面形成一个介电镜。因此，为了理解和优化整个a-Si:H/c-Si太阳能电池，还必须考虑TCO对电池光电性能的影响。由于其高掺杂度，TCO的电子行为就像一个电荷载流子迁移率相当低的金属，而TCO/a-Si:H结的电子行为通常被假定为类似于金属-半导体结。 TCO的功函数对TCO/a-Si:H/c-Si结构中的带状排列以及电荷载流子在异质结上的传输起着重要作用。此外，TCO在大约10纳米薄的a-Si:H上的沉积通常采用溅射工艺；在此，应该考虑到在该溅射工艺中损坏脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性，并且在工艺优化中必须考虑到。0bb异质结设备
