半导体激光二极管的基本结构：垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔，它们可以是半导体晶体的解理面，也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使电子从N区经PN结注入P区，空穴从P区经过PN结注入... 【查看详情】

激光二极管的发光原理：激光二极管中的P-N结由两个掺杂的砷化镓层形成。它有两个平端结构，平行于一端镜像（高度反射面）和一个部分反射。要发射的光的波长与连接处的长度正好相关。当P-N结由外部电压源正向偏置时，电子通过结而移动，并像普通二极管那样重新组合。当电子与空穴复合时，光子被释放。这些光子撞击原子，导致更多的光子被释放。随着... 【查看详情】

当激光二极管注入电流在临界电流密度以下时，发光机制主要是自发放射，光谱分散较广，频宽大约在100到500埃（埃=10-1奈米，原子直径的数量级就是几个埃〉之间。但当电流密度超过临界值时，就开始产生振荡，然后只剩下少数几个模态，而频宽也减小到30埃以下。而且，激光二极管的消耗功率极小，以双异质结构激光为例，比较大的额定电压通常低... 【查看详情】

激光二极管随着技术和工艺的发展，多层结构。常用的激光二极管有两种：①PIN光电二极管。它在收到光功率产生光电流时，会带来量子噪声。②雪崩光电二极管。它能够提供内部放大，比PIN光电二极管的传输距离远，但量子噪声更大。为了获得良好的信噪比，光检测器件后面须连接低噪声预放大器和主放大器。半导体激光二极管的工作原理，理论上与气体激光... 【查看详情】

激光二极管的发光原理：激光二极管中的P-N结由两个掺杂的砷化镓层形成。它有两个平端结构，平行于一端镜像（高度反射面）和一个部分反射。要发射的光的波长与连接处的长度正好相关。当P-N结由外部电压源正向偏置时，电子通过结而移动，并像普通二极管那样重新组合。当电子与空穴复合时，光子被释放。这些光子撞击原子，导致更多的光子被释放。随着... 【查看详情】

所述延时控制单元的第二输入端连接门控信号，输出端与峰值保持单元的复位端电连接；所述比较器的输出端还与采样单元的控制端电连接，所述采样单元的输出端连接输出端口vout，采样端与斜坡电压发生单元的输出端电连接，所述斜坡电压发生单元的复位端和控制端均连接门控信号。进一步的，所述峰值保持单元包括运算放大器、电流源、场效应管pmos1、场效... 【查看详情】

半导体激光二极管的基本结构：垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔，它们可以是半导体晶体的解理面，也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使电子从N区经PN结注入P区，空穴从P区经过PN结注入... 【查看详情】

激光切割机的激光管出现不出光的情况，通常有三种，一种是突然不出光，一种是用着用着激光管的光越来越弱，***一种是开始使用一切正常，隔天后再开机就没光。关于以上三种情况引起的激光管不出光，以下小编讲解其中一条。 关于用着用着激光管的光越来越弱原因1、检查激光机水循环情况，如果水流不循环请关机断电后检查水泵或冷水机插头等是否插好。2... 【查看详情】

同所有元器件一样，有一些主要参数用于确定基本选型和性能，另外还有许多次级和三级参数。对于激光器，首先要了解的参数是输出波长、输出功率、光束直径和光束发散度。此外，输出类型（脉冲或连续波）、能效、输出光束横截面形状（轮廓）、寿命、可控性和易用性也很重要。请注意，取决于波长和激光器类型，激光器输出功率可以从几毫瓦(mW)到几千瓦(kW)不等。... 【查看详情】

对节点y处的斜坡电压进行采样，另一路通过反相器31后转化为低电平，再经延时单元32延时后送到与门33的输入端，使与门33输出低电平，场效应管pmos1开启，对电容c1进行放电复位，节点x处的电压不断降低；在此过程中，当节点x处的电压下降至低于阈值参考电压vref时，比较器4再次发生反转，输出低电平使采样单元6关断，结束对节点y处斜... 【查看详情】

激光模切技术具有以下几点优势：1、可重复加工由于激光模切机可以存储计算机编制的切割程序，所以当再次生产时，只需调出相应程序即可进行切割，做到重复加工。2、可实现快速打样由于激光模切机是由计算机控制的，可实现低成本、快速模切打样。3、成本低激光模切技术的成本主要包括设备成本和设备使用成本，但传统模切技术的成本包括制作刀模成本、打样设备成本、... 【查看详情】

VCSEL（垂直腔面发射激光）二极管的特点如下：从其顶部发射出圆柱形射束，射束无需进行不对称矫正或散光矫正，即可调制成用途的环形光束，易与光纤耦合；转换效率非常高，功耗为边缘发射LD的几分之一；调制速度快，在1GHz以上；阈值很低,噪声小；重直腔面很小，易于高密度大规模制作和成管前整片检测、封装、组装，成本低。同一芯片上集成多波长DFB-... 【查看详情】