FG-LD(光纤光栅激光二极管）利用已成熟的封装技术，将含有FG的光纤与端面镀有增透膜的F-P腔LD耦合而成可调谐外腔结构的激光器，由LD芯片、空气间隙、光纤前端的光纤部分组成，光学谐振腔在光栅和LD外端面之间。LD的内端面镀有增透膜，以减小其F-P模式，FG用来反馈选模,由于其极窄的滤波特性，LD工作波长将控制在光栅的布拉格发射峰带宽内... 【查看详情】

随着技术和工艺的发展，多层结构。常用的激光二极管有两种：①PIN光电二极管。它在收到光功率产生光电流时，会带来量子噪声。②雪崩光电二极管。它能够提供内部放大，比PIN光电二极管的传输距离远，但量子噪声更大。为了获得良好的信噪比，光检测器件后面须连接低噪声预放大器和主放大器。半导体激光二极管的工作原理，理论上与气体激光器相同。常用参数⑴波长... 【查看详情】

限位销在第二弹簧的作用下与限位槽进行卡合，使得放置壳体固定在底座的顶部，通过凸起和通槽的设置，方便于工作人员对限位销进行移动，使得限位销从限位槽中脱离出来，工作人员可根据需要对放置壳体的位置进行调节，可满足于不同的使用需求，实用性更强。附图说明图1示出了根据本实用新型实施例提供的调节架结构示意图；图2示出了根据本实用新型实施例提供... 【查看详情】

半导体激光管(LD)和普通二极管采用不同工艺，但电压和电流特性基本相同。在工作点时，小电压变化会导致激光管电流变化较大。此外电流纹波过大也会使得激光器输出不稳定。激光二极管对它的驱动电源有十分严格的要求；输出的直流电流要高、电流稳定及低纹波系数、高功率因数等。随着激光二极管的输出功率不断加大，需要高性能大电流的稳流电源来驱动。为了保证半导... 【查看详情】

光斑质量由生产工艺诸多环节决定，功率不同，光斑大小不一，光斑质量直接影响到用户的使用性能。激光管稳定性不好，容易出现漏气、非外因炸裂等问题。由于激光管是加工设备的消耗品，其使用寿命首当其冲成为用户的主要选购指标。2、激光管厂家的售后服务激光加工设备的激光管是消耗品，有一定的使用寿命，到期后需要及时更换。激光加工设备在质保期内，如果... 【查看详情】

FG-LD(光纤光栅激光二极管）利用已成熟的封装技术，将含有FG的光纤与端面镀有增透膜的F-P腔LD耦合而成可调谐外腔结构的激光器，由LD芯片、空气间隙、光纤前端的光纤部分组成，光学谐振腔在光栅和LD外端面之间。LD的内端面镀有增透膜，以减小其F-P模式，FG用来反馈选模,由于其极窄的滤波特性，LD工作波长将控制在光栅的布拉格发射峰带宽内... 【查看详情】

半导体激光二极管的基本结构：垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔，它们可以是半导体晶体的解理面，也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使电子从N区经PN结注入P区，空穴从P区经过PN结注入... 【查看详情】

产生激光的三个条件是：实现粒子数反转、满足阈值条件和谐振条件。产生光的受激发射的首要条件是粒子数反转，在半导体中就是要把价带内的电子抽运到导带。为了获得离子数反转，通常采用重掺杂的P型和N型材料构成PN结，这样，在外加电压作用下，在结区附近就出现了离子数反转—在高费米能级EFC以下导带中贮存着电子，而在低费米能级EFV以上的价带中贮存着空... 【查看详情】

但是该装置在使用的过程中仍存在很多不足之处，比如，该装置在对激光管固定时需要转动多个螺栓，固定起来较为繁琐，不方便于日常的使用。因此提出一种激光管调整架。技术实现要素：本实用新型的目的在于：为了解决现有技术中对激光管的固定需要转动多个螺栓，固定起来较为繁琐的问题，而提出的一种激光管调整架。为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术... 【查看详情】

激光管------辐射过程在讲激光产生机理之前，先讲一下受激辐射。在光辐射中存在三种辐射过程，一时处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为自发辐射；二是处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为受激辐射；三是处于低能态的粒子吸收外来光的能量向高能态跃迁称之为受激吸收。自发辐射，即使是两个从某一高能态向低能态跃迁... 【查看详情】

所述定位头611的圆弧凸起部与所述第二定位头612的圆弧凹槽配合卡接，此处采用圆弧接触面，可实现快速精确、对准；向所述电磁铁62通电，所述定位头611与所述第二定位头612固定；所述传感器63向所述电磁阀发出信号，驱动所述驱动组件512将顶杆511顶出，以将储料框4与所述存取料盘2锁定；所述电机241运行，以驱使所述水平移动部24... 【查看详情】

根据固体的能带理论，半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几... 【查看详情】